机车电子装置的噪声抑制

分析了机车电子装置中常见的电子元器件噪声的起因、危害及消除的对策,建议在设计阶段就采取相应的抑制措施,以提高产品工作可靠性。     

机车用电流和电压传感器

叙述了电流和电压传感器在机车上的重要作用，着重介绍了现在广泛使用的霍尔效应传感器的工作原理和使用方法，展望了传感器的未来。     

降低AC车辆车体浪涌电压的方法

简要阐述AC车辆车体产生浪涌现象的机理和改善AC车辆接地系统的试验结果,讨论了防止极端浪涌电压的理想接地系统。     

轨道电压下降和电压彼此干扰的处理过程

文章简要叙述了轨道电路电压大幅下降且相邻区段的电压彼此干扰的现象,分析了产生故障的原因并给出了计算过程,最后提出了解决问题的方法。     

机车车载电子装置的接地和屏蔽

阐述了电磁兼容性的概念及提高车载电子控制装置电磁兼容性的重要性，对改善机车车载电子装置的电磁兼容性的方法——接地和屏蔽进行了探讨，并从接地和屏蔽两方面介绍了多种现场易于实现的方法。     

"浪涌电压"对CMOS集成电路的损害与对策

“浪涌电压”对CMOS集成电路有致命的伤害。为避免浪涌,设计电路时要根据元件布局及布线情况,采用箝位和限流等手段。     

IGBT变频器的关断浪涌电压仿真分析及其抑制方法

对IGBT变频器关断浪涌电压产生机理进行分析,介绍采用吸收电路及减小主电路分布电感这两种抑制浪涌电压的方法,并通过实测与仿真进行验证。     

光伏并网逆变器IGBT关断浪涌电压抑制与预测保护研究

分析了光伏并网逆变器IGBT关断浪涌电压的产生机理,并对低寄生电感的复合母排设计方法进行了说明,最后给出了IGBT关断浪涌电压吸收电路与浪涌过压预测保护电路的设计方法。实际应用表明,该方法对于降低IGBT的过电压损坏风险起到较好的作用。     

SS7E型机车辅助变流器对通信系统的干扰

因SS7E型机车辅助变流器为变频运行方式,工作时会产生50Hz和25Hz的2种频率信号,对通信线路信号传输造成干扰,严重时可造成机车无流无压。为消除此类故障隐患,提出技术改进方案,并介绍机车检修或新造机车时应注意的事项。     

寄生参数对IGBT关断浪涌电压影响的仿真建模

IGBT作为能源变换与传输的核心器件具有良好的载流与抗压能力,在轨道交通、电力系统等行业领域应用非常广泛。以建模仿真的方式模拟浪涌电压实际运行性能,深入研究其特性,可为提高功率器件系统的安全性与稳定性提供依据。文中通过有限元法求解电磁准静态场提取单桥臂回路各器件的寄生参数,并结合IGBT器件静态、动态特性建立了精确的单桥臂电路模型。通过对比不同精度模型的仿真计算结果表明,寄生参数对于浪涌电压的幅值大小和振荡具有不可忽视的影响,在电路优化设计中应予以充分的关注。该精确模型具有精准、易调控的特点,仿真结果对IGBT功率器件精确的损耗计算、可靠的电磁兼容设计及评估潜在风险具有指导性意义。     

用TPZ9型电压调整器对东风4机车进行加改的方法和效果

用ＴＰＺ９型电压调整器对东风４机车进行加改的方法和效果武昌南机务段（武昌４３００６４）黎英武郑刚陈绪中目前，东风４机车风泵电机大都采用启动电阻实行降压启动。当２ＳＪ故障、ＹＲＣ卡滞或ＹＣ主触头粘连时都会使启动电阻长时间通电而过热、发红，从而引燃附近的...     

动态电压输出受电网干扰的解决办法

对铁路信号控制中,由于采用动态电压输出产生的可靠性问题,特别是电网产生的干扰问题,进行了分析,并介绍了对运行中的系统进行此类故障处理的方法。     

劈相机的电压电流动态测量

介绍一种测量劈相机动态工作特性的方法，包括基本原理，操作步骤及误差差评估等，在不同网压和不同工况下可对劈相机进行上线实时测量。     

非阻抗匹配平衡牵引变压器的输出特性和电压损失分析

考虑绕组漏阻抗，应用多绕组变压器理论导出了非阻抗匹配平衡牵引变压器的输出特性；给出了便于工程应用的电压损失近似计算公式。最后对物理模型进行了测试，试验与理论分析结果一致。     

1200 V SiC MOSFET器件的体二极管抗浪涌能力研究

对1 200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力进行了试验测试分析与评估。其中,平面型SiC MOSFET展现出了最优的抗浪涌能力,最大浪涌电流密度峰值达到了35 A/mm~2,而双沟槽型与非对称沟槽型SiC MOSFET的抗浪涌能力大致相等,分别为22 A/mm~2和25 A/mm~2。在经过最大浪涌电流后,3种SiC MOSFET器件的门极阈值电压、漏极电流和击穿电压均发生了失效,其失效原理均为热击穿而导致的三端短路。对比测试结果表明,平面型SiC MOSFET由于较少的栅氧化层缺陷而展现出良好抗浪涌电流能力,而双沟槽型SiC MOSFET由于浪涌应力下的沟道处泄漏电流导致更强的热效应,更容易在浪涌测试中发生失效。     

大功率变频器输出电压转入方波工况策略的仿真研究

通过仿真研究，指出在应用折角调制方法和移缺口方法作为大功率变频器输出电压转入方波工况的策略时，必须注意转换点的选取，并提出了相应的选取方法。对这两种方法以转矩脉动量为标准做了对比，指出折角调制方法是一种更好的方法。