脉冲开关用 6 英寸高 di/dt 晶闸管的研制

针对脉冲开关用晶闸管对di／dt耐量的高要求,阐述了晶闸管的导通过程和di／dt的失效机理。通过选用适当的硅单晶参数,调整P基区浓度分布,优化门极图形,采用双负角造型工艺,设计并试制出6英寸脉冲开关用晶闸管。该晶闸管的脉冲峰值电流可达300kA,di／dt耐量超过3000A／μs,试验表明其具有良好的稳定性和可靠性。     

6英寸晶闸管样品在株洲试制成功

湖南省“十一五”科技计划重大专项“特高压直流输电换流阀6英寸晶闸管的研制”项目获得重大进展,由株洲南车时代电气股份有限公司研制的特高压直流输电换流阀核心部件——6英寸晶闸管成功研制出样品,这是世界上迄今为止诞生的最大容量的晶闸管,通态平均电流达4000A,断态和反向重复峰值电压达8000V,标志着我国通过自主创新,已经达到了国际大功率半导体器件技术的领先水平,也标志着我国在特高压直流输电技术国产化的道路上迈出了关键性的步伐。6英寸晶闸管样品在株洲试制成功@贺楚梅     

晶闸管多周波浪涌电流试验及仿真

概述了六英寸晶闸管的多周波浪涌试验,给出了试验中晶闸管的电流波形和温度曲线。详细介绍了温度计算及仿真分析,并将计算结果与试验结果进行了比较,验证了仿真的可行性。     

8英寸IGBT芯片成功实现完全国产化

2014年11月1日,装有首批8英寸IGBT芯片“睿芯”的模块在昆明地铁车辆上完成段内调试并成功运行。目前,该车辆已稳定运行超一万公里,各项参数指标均达国际先进水平。这意味着由株洲南车时代电气股份有限公司自主研制生产的8英寸IGBT芯片已彻底打破国外高端IGBT技术垄断,实现从研发、制造到应用的完全国产化。     

150mm高压脉冲功率晶闸管的研制与应用

大功率脉冲电源是脉冲电磁发射武器平台的重要组成部分,开关器件是其关键技术。150 mm(6英寸)超大功率脉冲晶闸管的成功研发,满足了超大功率脉冲电源开关器件运行寿命长、可靠性高、体积小、重量轻的发展趋势要求。文章重点研究了浪涌电流下超大功率脉冲晶闸管的特性。     

轨道交通用750A/6500V高功率密度IGBT模块

通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS~+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT~+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关键技术,研发了具有低通态损耗的6 500 V平面栅IGBT芯片及其配套快恢复二极管(FRD)芯片。将IGBT及FRD芯片封装成750 A/6 500 V IGBT模块并对其进行测试、试验,其动、静态特性与安全工作区(SOA)性能优良,满足我国高速动车组、大功率机车等轨道交通牵引的应用要求。     

具有自主知识产权的6英寸晶闸管抢占全球功率半导体器件技术制高点

近期,由株洲南车时代电气股份有限公司自主研发的6英寸4500A/7200V大功率晶闸管成功在灵宝背靠背扩建直流输电系统获得应用。这标志着世界上最大容量的6英寸晶闸管已经进入工程应用     

准高速客运内燃机车架悬式转向架设计制造和试验

通过准高速客运内燃机车架县式转向架设计制造和试验过程的简单回顾，着重介绍了轮对空心轴式电动机全悬挂驱动装置的一系列优点，以及在设计制造试验中的参数计算选择、关键零部件的制造技术、试验运营结果总结等，并提出尚存在的问题。     

客车车体的试验模态分析

本文介绍了试验模态分析技术在客车车体动态特性研究中的应用。阐述了多自由度系统实模态分析的理论基础上及模态参数识别原理，以冻结的动画振动展示了二等座车车体钢结构及整备状态下车体的主要模态，并对此作了分析。最后就车体动态特性的有关问题，车体的设计优化和结构改进提出了看法。     

600A／2500V阳极短路型GTO器件的研制

通过最佳的阴极单元结构和阳极短路图形设计，采用改进的Ｇａ扩散工艺，阳极短路结构，掺氧氧化技术，及电子辐照技术，研制出具有优良电特性的ＧＴＯ器件。文章论述了６００Ａ／２５００Ｖ阳极短路型可关断晶闸管的基本设计原理，给出了器件的工艺特点和主要电参数。     

基于P-N结反向恢复过程的吸收电路的仿真设计

介绍了一种用PSPICE仿真软件设计晶闸管吸收电路的方法。该方法利用指数函数模拟P-N结反向恢复时的电流衰减过程，并用PSPICE的参数扫描功能获得吸收电路RC的最佳参数值。该方法适用于普通相控晶闸管和二极管的吸收电路参数设计，有较高的精度。     

SS5型客运电力机车 8：TGZ8—3640／950型半导体变流装置

本文介绍了SS 5型电力机车半导体变流装置(含磁场削弱晶闸管分路、功率因数补偿装置晶闸管开关)的主要参数、设计特点、主要结构以及桥臂半导体元件的计算方法。     

IGCT及其门极驱动电路研究

IGCT作为一种新型大功率半导体开关器件,吸取了GTO和IGBT的优点,但其驱动则需要借助配套的门极驱动电路板才能实现.介绍了IGCT的基本工作原理,并根据驱动电路的要求分析设计原理,对1 100 A/4 500V逆导IGCT集成门极驱动电路的设计方法进行了具体分析和研究,实验结果验证了设计方法的可行性和正确性.     

16V240ZJE型大功率柴油机的研制

１６Ｖ２４０ＳＪＥ型柴油机是与英国里卡多公司进行技术合作，研制开发的高强化，大功率柴油机，标定功率将达到３６８０ｋＷ。详细地叙述了Ｅ型机的设计思路，设计过程，设计参数和各零部件结构设计改进情况，以及Ｅ型机的开发试验，样机试验和耐久试验及台各零部件的可靠性评价结果，并根据耐久试验暴露出来的问题，对连杆，齿轮支承轴，弹性联轴节等做了改进设计，最后达到了各项设计指标，成功的完成了研制工作。     

1 100 A/4500 V逆导型IGCT组件的研究

概述了一种新型可关断电力半导体组件--逆导型IGCT的基本结构及相关技术.介绍了新研制成功的1 100A/4 500 V逆导型IGCT的主要参数和测试波形.     

120km／h速度级A型地铁车辆转向架的研制

文章介绍了适用于最高运营速度为120km／h的A型地铁车辆ZMC120型转向架的技术参数、基本结构,总结了其结构设计特点,除对整车进行了动力学性能计算外,对主要结构件如构架、一系弹簧、轴箱体、车轮、车轴、牵引装置等部件进行了强度计算,对转向架总成及相关部件进行了型式试验,各项计算和试验结果均满足标准要求,其合理的设计为城轨车辆及动车组转向架的开发提供了较好的借鉴。     

超大吨位静载试验的防倾覆措施

武荆高速公路右线高架桥桥梁基桩承载力高达2000t，采用静载试验堆载法来验证，超大吨位静载试验需解决加载时堆载材料倾覆问题。从试验前的准备工作到堆裁时的具体操作，都详细介绍了防倾覆措施。这些措施的有效性最终在试验中得到了验证，保证了试验的顺利完成。试验为堆载法优化设计提供了可靠参数。     

串补电路中次同步谐振检测和抑制的研究

针对晶闸管控制的串联补偿电路(TCSC)的次同步谐振(SSR)问题,提出了一种可实时检测次同步谐振,并对其加以抑制的方法。文中不仅介绍了串补系统的投入和晶闸管开关技术,还对此方法作了详细的理论分析和大量的仿真研究,设置两个门槛值。用Labwindows/CVI进行仿真分析说明,该方法对检测和抑制次同步谐振可行、有效。设置门槛值后,可以防止外界干扰引起误动作,减少晶闸管的动作次数,延长元器件的寿命。     

IGCT高压测试台的研制

集成门极换流晶闸管（IGCT）是一种新型的电力电子器件,在大功率高压变流器中得到广泛的应用。为了配合开发工作,研制了一种IGCT高压测试台,用来测试4500V／4000A等级以下IGCT器件的特性。几组实验验证了该测试台设计的合理性和可行性。