大功率可控硅的发展

最近由瑞典通用电气公司(ASEA)发展的YST14—01型可控硅元件,平均通态电流为1050安(180°导通角,正弦波形,双面冷却,壳温+70℃),比YST8—01型可控硅大约增加50%,它已是ASEA目前最大的风冷可控硅元件。该型可控硅的外形尺寸与YST8—01型可控硅相同,直径为85毫米,保持不变,而     

大功率硅元件的动向

大功率硅元件发展迅速,1600安2500伏整流元件、1000安2500伏可控硅整流元件和400安2500伏逆导可控硅元件已在机车上使用,元件平均寿命达10~8小时。文中介绍了大功率硅元件在单晶材料、制造工艺、元件结构等方面的动向。     

4000伏2500安高压大电流可控硅元件

日本三菱电机社已研制出世界最大容量(4000伏.2500安)的可控硅元件。如果使用这种元件,元件数及触发回路零部件、辅助部件大约能减少到原来的1/2～1/3左右,装置的小型化予期会提高性能和可靠性。大容量可控硅元件使用于电机控制及各种电力系统装置等,有利于提高装置     

西德E120型机车过变电路换向过程的初步分析

本文从理论上对西德E120型机车逆变电路电流过零的换向过程作了分析,着重研究了这种换向过程中电容电压及回路电流的变化规律,导出了不同情况下换向电容电压及回路最大电流的计算公式,并以无量纲形式绘出了它们对X(X=(U_d)╱(I_A·ωL))的关系曲线。结果表明电容电压由电源电压和负载电流所形成的电压组成,但后者只在大负载下才有较明显的影响,因此,这种逆变电路完全消除了换向过程中的电压过冲现象,克服了McMurray型逆变电路电压过冲问題。结果还表明当换向的第二个脉冲电流开始点选在π(LC)~(1╱2)时,换向过程中的两个换向电流脉冲具有相同的幅值和相同的宽度,而且与负载的大小无关,这对降低逆变电路中有关元件的电流定额是有益的。最后作为特例导出了空载情况的解。     

由于开通冲击电流可控硅击穿的现象

阻容吸收环节原本为限制过电压,但其电容的放电电流(冲击电流)往往使可控硅等元件性能恶化乃至击穿,尤在双向导通的元件更甚。虽有许多学者提出“这些击穿是由于元件的开通集中于一点,即产生过热点的结果”,但其原因——导通初期电流集中的过程和有关影响,尚未明白。作者用新研制的0.2微秒快门开放时间的门控红外线图象变换器和多控制极可控硅,进行了一系列试验与分析,搞清了在2000～3000伏级的可控硅,因开通延时场所的分散性一旦在0.5微秒以上,就产生过热点。控制极电流密度和npn晶体管的电流放大系数α_(npn)是影响开通延时分散性的主要矛盾。进而指出:为了减少开通延时的分散性,在制造(元件)方面和用户(电路)方面应努力的方向。同时,作者也研制出不被冲击电流击穿的新元件。     

可控过渡硅机组

一、结构机组是长方形结构,外形尺寸长×宽×高为860×720×750毫米。中间用绝缘板隔成两相,每相各装有6个500安1200伏的平板形可控硅或整流元件。元件的所有阴极经各自的均流电阻再并联成一个输出端X_2(X_1),阳极经快速熔断器后可控元件和整流元件分别并联到外接母线G(F)和H(E)上(见附图一)。     

逆导电流源逆变器的初步分析和试验

本文首先以地铁动车设计为例,指出采用逆导晶闸管电流源逆变器是普通逆变器实现小型化的一个较好的方案。然后分析了逆导电流源的换流原理和基本关系式,并作了试验验证。最后指出,限制换流电容器的过充电电压是今后发展逆导电流源的重要研究课题。     

换流能量保存型逆变电路的分折

内容简介换流能量保存型逆变电路是一种电压型、用电流脉冲强迫换流的逆变电路。它以快速晶闸管为载流和开关元件,用推挽形式以振荡脉冲电流对工作着的晶闸管进行强迫换流。可以组成半桥式,单相桥式或三相桥式逆变电路。由于推挽式电路可以省去进行辅助关断的晶闸管,因而其主电路结构比较简单。相应地,也可以简化触发电路和保护电路。由于这种换流电路在强迫换流过程中,换流电容器中储存的能量以互相转移的方式得以保存,更由于电路中加入了能量反馈环节,因     

算一算

1.有一三相全波整流装置,其电路如图1所示。额定直流输出电压E_d、输出电流I_d分别为400伏、500安。求:变压器次边相电压有效值E(伏),相电流有效值I(安),容量P(千伏安)以及视在功率因数cosθ。假设直流输出电流完全平直,变压器次边绕组和整流元件的电压降为零。     

GTO

最近,一种兼备可控硅和功率晶体管长处的功率可关断可控硅,一般称为门极关断可控硅GTO(或门极可控可控硅GCT)已投入实用。 GTO只要根据加在门极上的正负信号,就能实现从阻断到导通,或从导通到阻断的转换。控制性能非常好。 GTO与可控硅一样,耐压和容许电流的相克性不像晶体管那样强,因此比较容易做到大     

交流电传动机车两种典型电压源逆变器电路换流过程的分析计算

本文在试验的基础上,对西德E120(现称BR120)型交—直—交电力机车主逆变器电路及DE2500型交流传动内燃机车主逆变电路的换流过程进行了详细的分析,对换流过渡过程的主要参数作了较精确的计算,讨论了换流电路Q值,恒流充电角ωt_2及负载电流I_z等三要素对换流过程的影响。对麦式原型电路,E120电路及DE2500电路的稳态性能及暂态特征进行了必要的比较,并对其适用范围提出了看法。     

可控硅逆变器之类强迫换向电路的分析

本文涉及种种具有强迫换向的逆变器电路。通常,用来关断承载负载电流可控硅的辅助电路由若干储能部件和半导体开关组成,它们直接同损耗有关。在一定条件下,这种辅助电路具有特球的优点。文章叙述了带有LC串联谐振电路的强迫换向逆变器的分析。电容器峰值电压取决于谐振电路的品质因数和电容峰值电流对最大负载电流的比值。这将在逆变器电路的所有部件土产生较高的胁强(指电压、电流等,下同。——译者)。对这种电路,能用一组方程计算换向电路中储能和损耗的峰值,并按归一化形式给出。由此导出归一化形式的设计参数。     

GTR和其他新型电力半导体元件的性能及应用

一、GTR 电力变流用的晶体管通常是集电极损耗功率在数十瓦以上的双极型晶体管,为了区别于其他用途的大功率晶体管,国外将它命名为巨型晶体管(Giant Transistor),简称GTR。与GTO相比,GTR具有以下优点:(1)开关时间短;(2)易于并联运行;(3)易于消除dv/dt的影响;(4)导通损耗小;(5)导通、关断方便。上述优点使GTR成为中、小容量的静止变流设备中最重要的开关元件。 1.结构特点 GTR的工作原理与小功率晶体管相同,但在高压、大电流下工作的GTR,其结构有下列特点:(1)为了使GTR具有较高的直流放大倍数,GTR采用耐压较高的三重扩散结构;(2)GTR的集电极电流容量随发射结     

氩弧焊接多用(HKP)装置

本装置是在Ax_1—500焊机上加以改造并增设换向器下刻装置及片压检查装置而成。它可对东风型机车ZQDR—204型牵线电动机电枢进行手动或自动氩弧焊接(H)、手动或自动电枢换向器云母槽下刻和换向片倒角(K)、手动或自动换向片间电压检查(P),同时亦可作为0～600安可调恒定直流电源或一般孤焊机用。     

大功率整流器换流问题研究

理论上分析了大功率整流电路换流过渡过程，分析了换流过电压、关断功率与阻尼电路参数间的相互关系，提出换流过电压和关断功率的计算方法与计算公式，进一步探讨了如何合理配置阻尼保护电路参数。特别指出在大电流瞬时关断功率比换流过电压具有更大的危害性。为消除元件在换流过程中的关断损坏，还推荐一种改进型整流电路。     

IGCT阴极图形排布的优化设计

简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善了门极电流通道。     

交直电力机车中电流型四象限变流器及其微型计算机控制系统

电流型四象限变流器是一种脉冲宽度调制的交直流变换装置,具有功率因数高、谐波电流小、再生方便等优点。本文阐述了该变流器的工作原理,换流过程,控制方案以及主电路的电压,电流关系,元器件的最佳参数设计,并以直流电动机—发电机组为负载,对研制的电流型四象限变流器及其微型计算机控制系统进行牵引和再生试验,所得结果与理论分析相吻合。     

韶山2型电力机车的可控硅整流机组

韶2机车于1969年造成出厂。当时装用西安整流器厂生产的6台硅整流机组。采用200A、600V螺栓式整流元件。每台硅机组是一个整流桥;每个桥臂元件4串6并,全台车共计576只元件。在宝凤线运行了一万多公里,情况良好。随着我国电子工业的迅速发展,很快就为电力牵引提供了大电流、高电压的可控硅整流元件。因此,韶2机车于1970年底返厂改造。取消调压开关,改整流桥为半控桥,实行整流输出的无级调压。     

可控硅和硅整流元件供电的牵引电动机反馈试验台

本文比较详细地介绍了供ZQDR—204和ZQDR—410牵引电动机试验用的、可控硅和硅整流元件供电的反缋试验台的试验原理和电气线路工作原理。对试验台的主要设备也作了扼要的介绍。文章深入浅出、通俗易懂。由于牵引电动机在电传动内燃机车中的地位非常重要,它直接影响着机车的牵引性能,因此在制造或检修的过程中,除了每一工序的仔细检查外,组装以后还要进行严格的性能试验。反馈试验台是进行牵引电动机各项性能试验的重要设备。所谓可控硅和硅整流元件供电,就是用可控硅机组代替原来的线路发电机组,用硅整流机组代替原来的升压发电机组。毫无疑问,这样的反馈试验台同原有旋转机组的相比,具有耗电省、占地少、噪音低、投资廉、节约大量金属以及减轻劳动强度等优点。这样的试验台虽然过载能力较低,但是随着电子技术的不断发展,可以预计可控硅试验线路将会逐步完善并得到越来越多的采用。     

相关专利信息

专利名称：组合变流型交流变频器 专利申请号．CN200620132412．1公开号CN200941598 申请日：2006．08．21公开日：2007．08．29 申请人：刘建平 本实用新型采用分成一组或两组电机绕组替代换流电抗器而构成组合变流的电路结构,在其依次触发三相逆变桥的6只或12只的普通晶闸管导通与其3只电容器交替的换流中,三相绕组在其六节拍的脉波通流中可基本消除其无功电流。采用电机绕组与换流电容器串联而交替地经由晶闸管逆变桥的换流与其换流周期变化的变频调速方式,可以较低的产品造价和较高的电机功率因数实现其在0—120％额定转速的转速调节。本实用新型在其6个绕组为组装于钢板上的电磁铁的线圈时,可利用其脉冲半波通流方式产生电磁压力与振动力。