薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性

试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构,制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为V_(DS)=3V,V_(GS)=0V时,静态动作电流I_(DS)=1.2×10~(-6)A/mm~2,动态小信号响应频率可达到1000Hz。实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性。     

有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性

根据Au/CuPc/Al/CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果,分析了该三极管动作特性与器件结构的关系.结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性.其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构.合理设计、制作梳状铝电极,可获得良好的三极管静态、动态特性.     

有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性

根据Au／CuPc／Al／CuPc／Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果，分析了该三极管动作特性与器件结构的关系．结果表明，该三极管驱动电压低，呈不饱和电流一电压特性．其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构．合理设计、制作梳状铝电极，可获得良好的三极管静态、动态特性．     

有机半导体薄膜三极管的研制

采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价.制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比导电沟道长大幅缩短,而且通过适当的梳状电极结构设计,获得了良好的动作特性.有机SIT的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系.     

有机半导体薄膜三极管的研制

采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价，制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比惆的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系。     

栅极长度变化与有机静电感应三极管工作特性之间关系的数值解析

根据实际制作的有机静电感应三极管(OSIT)建立有机静电感应三极管的物理模型,选取合适的结构参数,采用有限元法计算OSIT内部的电位数值解.依据OSIT导电沟道内的电位分布,分析栅极长度变化对OSIT工作特性的影响.     

栅极长度变化与有机静电感应三极管工作特性之间关系的数值解析

根据实际制作的有机静电感应三极管(OSIT)建立有机静电感应三极管的物理模型，选取合适的结构参数，采用有限元法计算OSIT内部的电位数值解，依据OSIT导电沟道内的电位分布，分析栅极长度变化对OSIT工作特性的影响。     

有源驱动有机半导体发光三极管

研制了有源驱动的有机发光显示器件--具有有机静电感应三极管结构的有机电致发光三极管,并测试评价了其基本电气、光学特性.研制的有机电致发光三极管,采用酞氰铜和喹啉铝蒸发膜作为作用层.由测试结果可知,较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子.通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构,获得了高速、高电流密度等良好的三极管工作特性.     

有源驱动有机半导体发光三极管

研制了有源驱动的有机发光显示器件—具有有机静电感应三极管结构的有机电致发光三极管，并测试评价了其基本电气、光学特性．研制的有机电致发光三极管，采用酞氰铜和喹啉铝蒸发膜作为作用层，由测试结果可知，较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子，通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构，获得了高速、高电流密度等良好的三极管工作特性。     

基于实验结果的有机静电感应三极管动态特性

根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果,建立适当的动态小信号模型,对其动态特性进行仿真计算,得出器件的截止频率.通过对截止频率的分析,提出改善有机器件动态特性的方法.