努力提高硅整流元件的上车率

我所制造的硅整流元件是专供电力机车硅机组使用的,要求元件正向电流为300安、反向峰值电压为1200伏。在投片总数中能达到这种要求的元件所占的比率称之为上车率。制造300A/1200V硅整流元件,虽然经历了一段较长的时间,但上车率却一直停留在较低的水平。例如去年完成八百八十七只上车元件,投片约一万二千七百多片。今年以来,     

300A/1200V硅整流元件扩散工序实践小结

我所2CZ300A/1200V硅整流元件生产系采用全扩散工艺,即一次扩散形成P—n结(称P层扩散),二次扩散在P层表面形成一高浓度的P~+层(称P~+层扩散),三次扩散在n层表面形成一高浓度的n~+层(称n~+层扩散)。把好扩散质量关,乃是制造高质量整流元件的重要环节。扩散的质量通常用扩散结深、表面浓度及P—n结的电学特性来衡量。而合     

写在前面

本期是有关大功率半导体元件的研制专辑。毛主席教导我们:“路线是个纲,纲举目张。”今年以来,我所半导体组的同志在党组织的正确领导下,狠抓了路线教育,加强了班组建设和生产管理,开展了以提高元件上车率(在投片总数中,达到机车整流机组要求的300安,1200伏(反向峰值)的元件所占     

高功率密度IGBT模块的研发与特性分析

基于现有标准DMOS设计技术,通过优化高压IGBTFRD芯片及其模块结构,降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻,改善模块散热,提高最高工作温度。研究开发了高功率密度1 500 A/3 300 V、1 200 A/4 500 V及750 A/6 500 V IGBT模块,满足轨道交通的应用要求。     

牵引级1500A/3300V IGBT功率模块的热学设计与仿真

主要针对牵引级1 500 A/3 300 V IGBT模块进行热学分析,建立了基于热节点网络的热阻等效电路模型,从理论上优化了功率模块的稳态热阻分布,通过有限元模型对1 500 A/3 300 V IGBT模块进行热学仿真设计,验证了该热阻模型的有效性。     

300A/110V直流电磁接触器电磁系统的设计与计算

本文介绍了300A/110V直流电磁接触器的总体结构和主要特点以及电磁系统的设计与计算。     

用挖槽和场截止工艺的第三代3300 V IGBT模块

IGBT 3用的挖槽与场截止相协调的工艺已成功地导入欧洲电力半导体公司(eupec GmbH)的600V、1200V和1700VIGBT产品型谱.现今这种工艺适合于3 300VIGBT应用的特殊需求.     

IGBT并联应用技术研究

介绍了IGBT元件并联均流的主要影响因素,针对1 200 V/900 A功率等级IGBT并联应用设计了IGBT并联驱动器、低感母排和散热器,并进行了相应的试验研究。研究结果表明,该并联方案均流效果十分出色。     

500安/1200伏可控硅整流器及其散热器

近年来,电子工业发展很快,高电压大电流硅整流元件与可控硅整流器在内燃电力机车上得到了越来越多的应用。 73年我所与成都铁路局马角坝机务段,联合在韶山1型31号电力机车上试验了级间调压新技术,以解决调压开关“放炮”的故障。在级间调压硅机组中,采用了500安/1200伏可控硅整流器与500安/1200伏硅整流器。经较长时期的运行考验,证明元件性能基本良好,     

顺排圆管涡产生器式中冷器研究

针对16V280型机车柴油中冷器，应用涡产生器式翅片新型顺排圆管片式换热板芯，通过传质，传热比拟实验和真实元件的凝结传热实验，证明顺排圆管管片式换热能力强，空气压力损失小，与圆管水片换热板芯相比，换热能力平均提高20％左右，应用涡产生器的顺排圆管管片式中冷器能够满足16V280型柴油机中冷器的要求。     

高频熔炼炉的屏蔽措施

南京某机器制造厂有一台高频熔炼炉,熔炼铜合金。在未采取屏蔽措施前,熔炼炉工人操作带的电场强度高达380V/m,磁场强度8A/m,分别超过国家暂行标准18倍和0.6倍(国家暂行标准为,电场强度:20V/m; 磁场强度:5A/m)。现设计、安装了钟罩式屏蔽体,使电场强度下降到15V/m;磁场强度0.4A/m,均低于国家暂行标准。取得了较理想的屏蔽效果。一、钟罩式屏蔽体的特点高频熔炼炉熔炼时,要求操作工人经常搅拌熔     

针对高功率模块的4500VAmantysPowerDriveTM驱动器进入中国市场

10月22日,Amantys宣布推出一款针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管（IGBT）栅极驱动器,其工作电压为4500V,额定电流从400～1200A。4500V栅极驱动器可满足电力机车、风力发电机组、高压直流和工业驱动应用不断增长的高压IGBT市场需求。     

200A可控硅元件研制中几个问题的讨论和体会

在毛主席革命路线的指引下,我们于七○年七月份甩掉了合金——扩散法制200A可控元件的工艺,开始采用双扩散法试制。在不到一年的时间内就边试制、边总结提高,搞出了电力机车上用的200A 800V以上的可控硅元件机组一台,接着就开始批量生产。较之合金——扩散法既节约了大量黄金,又大大提高了元件的上车合格率。如71年四季度200     

功率IGBT模块的寿命预测

介绍了功率循环试验数据的威布尔分析方法,分析了现有的典型模块寿命模型,论述了寿命预测的方法:将任务曲线转化成温度曲线,利用雨流计数法,根据线性疲劳损伤积累理论和寿命模型计算功率循环寿命。最后,预测了应用于HXD1C电力机车的株洲南车时代电气股份有限公司3300V/1200A IGBT模块的功率循环寿命。     

高速动车组用弹性结构制动闸片的研制

通过对制动闸片配方设计和结构优化,研制出新型弹性结构制动闸片,并测试了其物理力学性能和摩擦磨损性能。试验结果表明:该制动闸片平均摩擦因数高,力学性能良好,安全可靠性较高,使用寿命长,可满足300km/h动车组的摩擦磨损制动性能要求。     

瑞士研制的新型逆导GTO晶闸管

由瑞士伦茨堡ABB传动装置有限公司研制的CRG2001-25型大功率半导体元件可在断态电压为2500V的情况下关断2000A的电流,与3μF吸收电容器一起使用。这种新开发的元件采用了自由浮硅技术,降低了功率耗散,可在大功率传动装置中提高开关频率。 CRG2001-25的电路较简单,比传统元件的优点多。它由同一硅片上的逆导GRO晶     

高速动车组用制动盘的研究

通过选材试验和改进结构设计,研制的高速动车组制动盘材料的常温及高温下机械性能较好、热膨胀系数较小、热传导系数较高并且锻造工艺性能好.高速动车组制动盘与粉末冶金闸片相匹配的摩擦副,其摩擦制动性能良好,安全可靠性较高,能满足200 km/h和300 km/h高速动车组的运行要求,可以在200 km/h和300 km/h高速动车组上装车试运行.     

TD-LTE系统新增GPS时钟源方案研究

南昌市轨道交通3号线TD-LTE综合无线承载网系统为A/B双网设计,采用单一IEEE 1588V2时钟源架构实现网络时钟同步。为进一步提升TD-LTE系统授时稳定性和冗余性能水平,从现场运营提升要求角度出发,提出GPS时钟源+1588V2时钟源的双时钟系统改造技术思路,有效解决A/B双网BBU时钟相位不同步的问题,为城市轨道交通TD-LTE系统时钟源设备改造优化提供技术参考。     

干线电力机车用变流器试验成功

由株洲电力机车研究所和铁道部科学研究院联合研制开发的 2 80 0 k VA GTO变流器 ,于 2 0 0 0年 3月底完成系统的地面试验 ,单机输出功率达到 2 2 0 0 k W( 30 0 0 k VA) ,这是迄今为止 ,我国目前单台功率最大的机车变流器。试验表明 ,该机组设计合理 ,各项技术经济指标达到设计要求。主电路形式 :2台并联的四象限变流器 ,中间直流电压环节 ,1台电机逆变器。主要技术参数 :输入电压单相交流 1 439V/50 Hz中间回路电压直流 2 50 0 V± 1 0 0 V输出电压三相 0～ 1 950 V输出电流 (额定 /最大 ) 870 A/1 1 0 0 A输出频率 0～ 2 1 0 HzG…     

基于焊接的UIC900A及U75V钢轨钢的连续冷却特性

模拟钢轨焊接及焊后热处理工况,采用热膨胀方法分别测定UIC900A及U75V钢轨钢的连续冷转变曲线(CCT曲线)。通过对UIC900A及U75V钢轨钢连续冷却特性的分析和比较,结果表明:当模拟焊接的奥氏体化温度为1 300℃和冷却速度小于1.5℃.s-1时,这2种钢轨钢的组织均为珠光体,并且在正常情况下焊接后直接空冷也都不会出现马氏体组织,这时UIC900A和U75V钢轨钢的硬度分别达到329 HV和354 HV;当模拟焊后热处理的奥氏体化温度为900℃和冷却速度为0.5℃.s-1时,这2种钢轨钢的硬度均为300 HV左右。UIC900A钢轨钢可直接空冷,U75V钢轨钢则需用冷却速度为1~2℃.s-1的喷风软淬火,以使其硬度达到320~350 HV左右。