MnO的电子结构

采用杂化密度泛函方法对MnO的电子结构进行了研究。结果表明，杂化密度泛函方法明显改进了理论与实验的符合。MnO为电荷转移绝缘体，采用离子模型能较好地解释其电子结构。     

关联效应对CaCuO2的电荷与自旋密度分布的影响

采用杂化密度泛函方法和哈垂-福克方法对CaCuO2的电荷与自旋密度的分布进行了研究. CuO2层的电子结构具有明显的二维特征.电子间的关联效应使Cu离子的自旋极化被削弱的同时,增强了O离子的自旋极化效应.     

关联效应对CaCuO2的电荷与自旋密度分布的影响

采用杂化密度泛函方法和哈垂一福克方法对CaCuO2的电荷与自旋密度的分布进行了研究．CuO2层的电子结构具有明显的二维特征．电子间的关联效应使Cu离子的自旋极化被削弱的同时，增强了O离子的自旋极化效应．     

杂化势对周期性安德森模型电子结构的影响

采用格林函数退耦合方法，研究了杂化势对周期性安德森模型电子结构的影响，结果表明，费米能处的态密度随杂化势的增强而有系统的变化，可由单峰结构劈裂成双峰结构，并在费米能附近形成赝隙或能隙。     

RCrO4(R=Er,Tm)的电子结构和半金属铁磁性

用第一性原理研究了RCrO4(R=Er和Tm)氧化物的电子能带结构和半金属铁磁性,发现锆石相的RCrO4是优质的半金属铁磁材料,具有达到0.35eV的半金属能隙。为了研究磁相互作用的机制,采用密度泛函理论和广义梯度近似计算电子能带结构、态密度和自发磁矩,发现其磁性来源于R的f轨道电子、Cr的d轨道电子和O的p轨道电子的自旋极化。穿过费米能级的能带主要来源于R(4f)-O(2p)-Cr(3d)的杂化能级,并对磁性和电子输运性质起着关键作用。     

YMn2O5电子结构及光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理GGA+U方法研究了YMn2 O5的能带结构、态密度、Mullik-en电荷布居和光学性质,计算结果表明:YMn2 O5为间接带隙半导体,理论禁带宽度为0.927 eV;电荷密度图和布居分析可知,YMn2 O5为离子和共价兼有的化合物,Mn 3d轨道与O 2p轨道发生了sp3轨道杂化,易...     

Ti掺杂LiZnAs的电子结构和磁学性能

通过采用第一性原理计算,研究Ti不同掺杂位置对LiZnAs电子结构和磁学性能的影响.在Ti原子附近,随机位置添加Li间隙原子,进而为掺杂体系引入电子载流子,研究电子载流子对掺杂体系磁稳定性的影响.结果表明:Li(ZnTi)As体系的磁性起源于p-d杂化作用,p-d杂化导致Ti-3d电子自旋极化.掺杂组态的磁矩主要由Ti...     

CaTiO3铁电性能的第一性原理研究

本文采用从头计算方法并利用GGA近似。研究了CaTiO3的铁电相变的起源。理论计算的结果显示组成CaTiO3的八面体结构中的Ti的d电子和O的p电子之间有杂化出现。从微观而言，正是由于在八面体中原子轨道的杂化导致了CaTiO3铁电性能的出现。     

铁基超导体SmOFeAs磁性的理论研究

为了从理论上研究新型5d过渡元素掺杂及压力诱导铁基超导体产生的超导电性,采用密度泛函理论自旋广义梯度近似方法(SGGA+U)计算分析了SmOFeAs的结构及Ir在Fe位上掺杂对体系电子结构和磁性质的影响.结果表明:铁基超导体SmOFeAs体系中Fe-3d电子的库仑势约为4 eV;物理外压和化学掺杂均可抑制SmOFeAs的反铁磁自旋密度波,使体系的磁有序度降低,与实验结果一致;Ir掺杂的SmOFe1-xIrxAs体系从反铁磁自旋密度波逐渐过渡为无磁性态,且超导态与反铁磁态共存并出现在磁性量子临界点附近.     

半导体Si和GaAs的GW近似能带结构与BSE吸收光谱的研究

基于密度泛函理论,采用平面缀加波的广义密度近似的PBE泛函和准粒子近似的GW方法对典型的半导体硅Si和砷化镓GaAs的能带结构进行了研究;同时研究了Si和GaAs的光吸收谱,并利用多体微扰理论的BetheSalpeter方程(BSE)进行了修正。计算结果表明,准粒子近似的GW方法对Si和GaAs的能隙预测结果和实验值符合较好,考虑了电子—空穴对激子效应的GW-BSE多体微扰方法计算的Si和GaAs的介电函数吸收谱与实验谱符合最佳;研究说明激子效应在半导体光谱性质分析方面十分重要。