有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性

根据Au/CuPc/Al/CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果,分析了该三极管动作特性与器件结构的关系.结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性.其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构.合理设计、制作梳状铝电极,可获得良好的三极管静态、动态特性.     

薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性

试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构,制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为V_(DS)=3V,V_(GS)=0V时,静态动作电流I_(DS)=1.2×10~(-6)A/mm~2,动态小信号响应频率可达到1000Hz。实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性。     

薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性

试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构.制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为VDS=3V,VGS=0V时,静态动作电流IDS=1.2×10-6A/mm2,动态小信号响应频率可达到1 000Hz.实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性.     

酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析

利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据，分析了酞菁铜／铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性．利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式，对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析，分析了VGS影响OSIT特性的原因．     

酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析

利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式,对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析,分析了VGS影响OSIT特性的原因.     

基于实验结果的有机半导体薄膜三极管动作特性解析

根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果,使用适当电路模型和数学工具,进行数值仿真解析,对其动作机理和电气特性进行了解析和评价.     

有源驱动有机半导体发光三极管

研制了有源驱动的有机发光显示器件—具有有机静电感应三极管结构的有机电致发光三极管，并测试评价了其基本电气、光学特性．研制的有机电致发光三极管，采用酞氰铜和喹啉铝蒸发膜作为作用层，由测试结果可知，较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子，通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构，获得了高速、高电流密度等良好的三极管工作特性。     

有机半导体薄膜三极管的研制

采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价.制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比导电沟道长大幅缩短,而且通过适当的梳状电极结构设计,获得了良好的动作特性.有机SIT的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系.     

有机半导体薄膜三极管的研制

采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价，制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比惆的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系。     

基于实验结果的有机半导体薄膜三极管动作特性解析

根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果，使用适当电路模型和数学工具，进行数值仿真解析，对其动作机理和电气特性进行了解析和评价．     

有机静电感应三极管(OSIT)静态工作特性的解析

在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试.通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式.数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符.     

有机静电感应三极管（OSIT）静态工作特性的解析

在分析SIT器件电流一电压特性的理论基础上，对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试，通过对测试曲线进行数据拟合与解析，得出一系列OSIT在不同偏压条件下，电流-电压的表达式．数据解析结果表明，有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。     

有机静电感应三极管的有限元法仿真解析

通过合理建立有机静电感应三极管（OSIT）的物理仿真模型及选取合适的结构参数，采用有限元法，对OSIT在不同偏压下仿真计算其内部电位分布，进行了探索性研究。依据仿真计算结果，获得OSIT导电沟道内部电位分布，进而分析OSIT的工作特点，以及OSIT的工作特性与偏压和结构参数的依赖关系。