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日本产业技术综合研究所(产综研)宣布,该研究所功率电子学研究中心主任研究员石田夕起开发出了SiC外延膜生长速度高达100μm/小时的化学气相生长(CVD)装置"近接垂直吹炼型CVD炉"。生长 相似文献