键合层厚度对功率型LED器件热学性能的影响

分析了功率型LED热阻系统的构成,通过Flotherm软件对不同厚度的芯片键合层的功率型LED进行热分析,结果表明:芯片键合层厚度越小,器件的热阻越小,散热性能越好。因此,选用芯片键合层厚度对功率LED器件的热性能有着重大的影响。     

功率模块铜线键合工艺参数优化设计

为了提高功率模块铜线键合性能,采用6因素5水平的正交试验方法,结合BP (Back Propagation)神经网络与遗传算法,提出了一种铜线键合工艺参数优化设计方案。首先,对选定样品进行正交试验并将结果进行极差分析,得到工艺参数对键合质量的影响权重排序。其次,运用BP神经网络构建了铜线键合性能预测模型,并通过遗传算法对BP神经网络适应度函数求解,得到了工艺参数的最优值。将BP-遗传算法与传统优化方法的优化结果进行对比,发现经BP-遗传算法优化后的铜线键合工艺稳定性提升更加明显。最后,对功率模块进行了功率循环试验,结果表明经BP-遗传算法优化后的模块功率循环能力得到显著提升。     

键合层厚度对功率型LED器件热学性能的影响

分析了功率型LED热阻系统的构成，通过Flotherm软件对不同厚度的芯片键合层的功率型LED进行热分析，结果表明：芯片键合层厚度越小，器件的热阻越小，散热性能越好。因此，选用芯片键合层厚度对功率LED器件的热性能有着重大的影响。     

功率IGBT模块的可靠性分析

介绍了功率模块的现状、封装过程、可靠性及其失效规律,论述了研究模块可靠性的标准试验方法如耐力试验和环境试验,讨论了模块的主要失效机制如键合引线失效、表面金属化重建、焊料疲劳和衬底分层等。