短沟道MOSFET器件特性的理论研究

通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据.     

电子轴沟道辐射作为γ—激光的可能性

本文借助自由电子激光的描述方法讨论了电子沟道辐射的自发辐射和相干辐射特征；导出了摆方程和系统增益。     

SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真

为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice仿真.仿真结果表明,在SiC MOS器件中,因受SiC/SiO2界面导带附近高界面态密度的影响,阈值电压随温度的变化并不像Si MOS器件那样呈线性变化,其沟道有效迁移率也并不与温度的-1.5次方成正比.此外,SiC MOS器件的沟道迁移率低,导致其跨导比相同尺寸下的Si器件的低,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP.虽然标准的OPAMP单元对Si器件来说具有温度稳定性,但对SiC基材料来说需进一步修正.     

有机半导体薄膜三极管的研制

采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价.制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比导电沟道长大幅缩短,而且通过适当的梳状电极结构设计,获得了良好的动作特性.有机SIT的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系.     

栅极长度变化与有机静电感应三极管工作特性之间关系的数值解析

根据实际制作的有机静电感应三极管(OSIT)建立有机静电感应三极管的物理模型，选取合适的结构参数，采用有限元法计算OSIT内部的电位数值解，依据OSIT导电沟道内的电位分布，分析栅极长度变化对OSIT工作特性的影响。     

发光层厚度比对有机电致发光器件性能的影响

将发光层进行多次堆叠构造出有机电致发光器件。实验说明,在总厚度相同而各发光层厚度比不同的条件下,器件呈现不同的发光特性。器件的电致发光光谱存在明显的变化,器件颜色由蓝光到近白光变化显著,器件的亮度和效率也有不同程度的变化。     

Eu^3＋：（TTA）m复合体系的电致发光研究

以稀土螯合物Eu^3 ：（TTA）m复合体系和小分子材料Alq3作成双层结构器件，研究Alq3层厚度不同时电致发光光谱的变化，当Alq3层的厚度减小到某一厚度时，在双层器件结构中可得到高亮度、窄谱带的经色发光。     

精密仪器中光电探测器件的特性与选用

在光电技术产业化过程中，光电器件的重要性日益显现。光电器件的种类很多，功能各异。如何掌握各种光电器件的特性及正确选用光电器件是光电技术实际应用中的关键。在对一个光电系统的性能指标进行评价时，系统所选用的光电器件的性能参数指标已经成为最重要的影响因素之一。本文介绍了常用光电器件的主要特性，对常用光电器件进行了对比。讨论了光电器件应用选择时的注意事项与技巧，并对选用光电器件的基本原则进行了总结。     

一种Buck-Boost模式的交流调压电路

采用MOSFET构成一对双向导电型电力电子开关，对交流电进行斩波控制，形成交流Buck—Boost电路。分析了该电路负载电压和电源电压之间的数量关系，介绍了一种适合本电路的电子开关系统。     

交通流参数的微分方程

流量，速度和密度是表征交通流特性的三个基本参数，随市面上ITS（intelligent transportation system)技术的应用，传统的流量-速度-密度关系将有变化，文中研究了交通流三个基本参数的全微分方程（动态方程），三参数之间关系曲线的斜率，提出了衡量车辆反应快慢的速度延迟系数。     

DC gain analysis of scaled CMOS op amp in Sub-100 nm technology nodes: A research based on channel length modulation effect

Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation (CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters. With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from 130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results.     

Subthreshold current model of fully depleted dual material gate SOI MOSFET

Dual material gate SOI MOSFET with asymmetrical halo can suppress short channel effect and increase carriers transport efficiency. The analytical model of its subthreshold drain current is derived based on the explicit solution of two-dimensional PoissonCs equation in the depletion region. The model takes into consideration the channel length modulation effect and the contribution of the back channel current component. Its validation is verified by comparision with two dimensional device simulator MEDICI.     

单相谐振MOSFET逆变电源的研究

给出一种用于中频感应加热装置的ＭＯＳＦＥＴ逆变电源,在ＭＯＳＦＥＴＲ 控制信号方面,提出了一种新的控制方法,即正弦波控制法,它能够自动地产生“死区时间”,对于避免同桥壁上,下管子直通有可靠的作用,中详细叙述了装置主电路和控制电路的并给出试验波形。     

Theoretical,Simulation and Experimental Analysis of Microfluidic Droplet Generation and Recovering Process with Applications in Frying Oil Assessments

The research on microfluidic droplet size prediction has been extensive and fruitful, while the droplet deforming process has been seldom studied. In this paper, a frying-oil-assessing microfluidic device was designed to study the droplet deforming and recovering processes, which were dominated by channel geometry, flow rates, sheath flow viscosity and interfacial tension of the two phases. Theoretical expressions of the deforming process and its extreme value were obtained for the first time, supported by simulation and experiments. Theoretical, simulation and experimental results indicated that the steady-state droplet length could be a useful parameter for frying oil assessment.     

输油管线公路穿越保护装置设计研究

输油管线穿越公路时既不能妨碍交通，又不能让管线被车辆的重量和震动所破坏，目前有三种解决方法，即门桥、挖地沟和安设护木．通过对这三种方式优缺点的分析，设计了一种结构简单、安装迅速的新型管线穿越公路的护管装置，并对其进行了结构强度分析与优化，分析表明，所设计的护管装置能很好的满足要求．     

输油管线公路穿越保护装置设计研究

输油管线穿越公路时既不能妨碍交通,又不能让管线被车辆的重量和震动所破坏,目前有三种解决方法,即门桥、挖地沟和安设护木.通过对这三种方式优缺点的分析,设计了一种结构简单、安装迅速的新型管线穿越公路的护管装置,并对其进行了结构强度分析与优化,分析表明,所设计的护管装置能很好的满足要求.     

胰岛素抵抗对大鼠血管平滑肌细胞BKCa功能的影响

目的探讨高脂、高糖饮食诱导的大鼠胰岛素抵抗对血管平滑肌细胞大电导钙激活钾通道(BKCa)功能的影响及其机制。方法采用膜片钳技术检测胸主动脉和肠系膜动脉平滑肌细胞BKCa的功能;分别用免疫印记法和实时定量PCR法测定BKCa亚单位(α和β1亚单位)的蛋白和mRNA表达水平。结果与对照组比较,胰岛素抵抗组大鼠胸主动脉和肠系膜动脉平滑肌细胞宏观电流密度均减低,100 nmol/Liberiotoxin使胰岛素抵抗组细胞在+60 mV时的最大电流幅度较对照组显著降低(P<0.01)。β1亚单位蛋白和mRNA表达在胰岛素抵抗组较对照组明显减低(P<0.05)。结论胰岛素抵抗时无论大血管还是微血管BKCa功能的下降与β1亚单位表达下调有关。     

基于AMT直流电机的H桥驱动电路硬件研制

概述了基于电控AMT直流电机H桥电路的控制方式以及功率场效应管的特点,并根据该控制方式和驱动电路的要求设计了基于MC33035和分立元件的驱动电路,对分立元件电路进行了调试。     

人脸表情自动识别技术研究进展

作为生物特征识别与情感计算领域的一个极富挑战性的交叉课题，人脸表情自动识别技术在各种应用的推动下发展很快，但鲁棒的自动人脸表情识别系统至今尚未建立．人脸表情识别的3个关键环节是人脸检测、人脸特征定位与提取和人脸表情的情感分类．在上述关键环节上均取得了重要进展．需要解决的问题包括提高人脸检测算法的鲁棒性、人脸特征提取的针对性和准确性、人脸刚性运动分离和三维表情识别．人脸表情数据库建设和应用研究。也是今后研究的重点．提出了人脸表情自动识别系统评价指标，包括技术的实用性、成果的可比性、系统的专用性和实时性．     

自平衡法在客专站房工程基桩施工中的应用

传统的基桩竖向承载力静载试验加载反力装置主要有锚桩横梁反力装置、压重平台反力装置和锚桩压重联合反力装置三种方式.三者均通过反力平台或装置提供反力,通过油压千斤顶在桩顶施加荷载.堆载法受场地和吨位等条件限制,要解决几百甚至上千吨的荷载来源,运输、堆载过程繁琐.锚桩法需设置多根锚桩和反力梁,试验时间长且费用高.基于此,通过结合工程实例,对自平衡法在站房基桩施工中的应用进行了研究.