车辆轮对检修生产线信息化改造与控制系统设计

介绍了目前车辆段轮对检修的现状及存在的问题，结合轮对检修线的改造，提出了通过在检修工位增加控制终端、安装流向传感设备、增加采集接口等手段，把整条检修线集成到统一的网络环境下，实现轮对检修工序的过程控制和信息化管理。     

承载能力极限状态静力荷载作用下大体积非杆系钢筋混凝土孔口结构配筋设计方法分析

研究承载能力极限状态静力荷载作用下大体积非杆系钢筋混凝土孔口结构内力分析方法,采用水工混凝土结构设计规范（SL191-2008）规定的拉应力图形配筋法进行配筋设计.首先进行总体网格局部加密分析,在此基础上将局部孔口取出进行精细加密后再分析的二次分析方法,导出了局部分析时基于第一次分析结果的位移边界条件,对大体积非杆系钢筋混凝土结构的孔口配筋设计具有一定的参考价值.     

基于灰色关联理论的ZYJ7型电液转辙机故障诊断研究

以全主机多点牵引道岔第1牵引点为ZYJ7型转辙机的外锁闭道岔为例,通过分析转辙机动作过程中液压油压力的标准曲线和典型故障曲线,提取特征参数建立特征矩阵,对特征矩阵进行无量纲化处理,建立关联矩阵。对于实际出现的故障,提取特征向量,通过计算与关联矩阵的关联度大小,实现对道岔故障的智能诊断,可提高道岔故障诊断效率,对现场维修维护具有很大的指导意义。     

航天用蓄电池充电调节器的控制系统设计

提出了基于Superbuck电路拓扑的航天用电源控制器（Power Conditioning Unit,PCU）中蓄电池充电调节器（Battery Charge Regulator,BCR）的控制系统设计方法,简述了PCU的基本构成和控制区域划分基本原理,分析了BCR在PCU系统中的运行模式,根据其运行特点,对以4阶Su-perbuck电路为拓扑的BCR进行了建模,给出了占空比控制的多个变量的传递函数表达式,依此设计了三环并列控制的蓄电池充电调节器,并给出了BCR分别在恒压输出,恒流输出,自稳定输入母线工况下的仿真和实验结果,验证了设计的正确性.     

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脉冲耦合神经网络（PCNN）具有良好的图像分割特性,但神经网络参数的选取对分割效果有较大影响,如何自适应地选择网络参数是脉冲耦合神经网络应用研究的重要内容.本文首次从脉冲耦合神经网络的耦合特性出发,结合神经计算原理及图像局部区域的灰度特性,提出了脉冲耦合神经网络耦合参数的优化算法.首先利用Hebb学习规则对脉冲耦合神经网络模型的链接权值矩阵进行更新,然后利用图像局部区域的均方差自适应确定神经元链接强度系数,最后将优化的PCNN模型应用于运动车辆图像分割.通过耦合参数的优化,增强了神经元之间的耦合强度,与传统PCNN的车辆分割结果相比,较好地避免了过分割和欠分割现象,提高了运动车辆图像中车牌区域的分割质量,为后续车辆特征的提取奠定了良好的基础.     

车轮型面磨耗对车辆服役性能的影响

针对动车组的1节车辆, 利用WP-D 车轮外形测量仪定期实测每个车轮的外形与轮径, 得到5组车轮型面磨耗工况, 并结合所选车辆的结构参数和运行线路特点, 利用多体动力学软件进行了车辆动力学仿真,分析了车辆在不同磨耗工况下的动力学特性. 仿真结果表明: 为保证车辆400 km/h 以上的临界速度, 车轮等效锥度应不大于0.4; 磨耗车轮的型面下凹深度超过2 mm 时, 车辆运行安全性和曲线通过性能将显著下降, 在最恶劣工况时,平稳性指标增幅达54%, 轮轴横向力增大了100%.     

ANSYS在道路路面结构计算中的应用

该文基于ANSYS 5.5,论述了其在道路路面结构计算中的应用问题。针对两种典型的路面结构:温克勒地基上的板和弹性多层体系的静力和动力问题进行了分析。分别讨论了两种情况下的建模、分网、加载、求解、后处理等问题。     

标法测量圆心的试验研究及理论分析

通过对坐标法的分析得知,3点构形呈正三角形分布时,中心位置的精度最高;但当3点的构形较差时,拟合圆心的精度就较差,且不能满足中心位置的精度要求。鉴于此,采用测量圆周上多个点坐标的方法,对圆心坐标进行平差计算及精度评定。通过对模拟试验数据的计算与分析得出,测量3点时,3点的构形应基本呈正三角形分布,速度快,精度高,3点的构形较差时,测量多点坐标的方法可以提高拟合圆心的精度及可靠性。研究结论具有实用性和有效性。     

Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能

用丝网印刷法将Al掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373~383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510~540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阈值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30249.