焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线的影响

利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的Ⅰ-Ⅴ曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且Ⅰ-Ⅴ曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,Ⅰ-Ⅴ曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是Ⅰ-Ⅴ曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考.     

丹江口大坝加高工程深孔明流段裂缝等缺陷修补施工技术

丹江口大坝加高期间,在对丹江口水利枢纽初期混凝土坝泄洪深孔明流段进行详细检查后发现了裂缝、错台、蜂窝麻面、外露钢筋头等混凝土缺陷,为保证加高后泄洪深孔正常、安全运行,必须对已经发现的缺陷进行妥善处理。本文重点介绍了泄洪深孔高速水流去混凝土裂缝修补施工技术及处理效果,希望对今后类似问题的处理具有借鉴意义。     

地铁车门隔声性能试验研究与分析

为给地铁车辆部件的选型提供依据,文章对地铁车辆的塞拉门、内藏门进行隔声性能比较试验研究。利用LMS Test.lab振动噪声测试系统,在相同的环境条件下,测量2种型式车门在开门和关门状态下的声压级,分析了各测点的噪声信号与参考信号的相干性。根据插入损失原理,研究内藏门和塞拉门的隔声性能。试验结果表明,塞拉门的隔声性能要优于内藏门。