长江中游藕池口水道航道整治一期工程设计

藕池口水道是长江中游重点碍航水道之一。通过对近期河床演变及碍航特性分析,结合工程建设目标和标准,提出工程平面布置方案。在工程结构设计中尝试了新结构的应用,提出护滩带和护岸结构形式,为类似航道整治设计提供参考。     

宁波光明通用泊位工程整体改造工艺设计

介绍宁波光明通用泊住升级改造工程工艺系统改造的思路和方案。在不影响现有生产的前提下,通过调整工艺流程和更新装卸设备,使泊位等级和装卸设备配置与实际到港船型匹配,工艺流程更加合理。改造后码头通过能力显著提高,码头卸船能力与堆场能力相适应。     

长江下游太平洲捷水道设计航道尺度标准

在对水道航道条件进行分析的基础上,考虑跨河建筑物净空尺度的限制条件,提出太平洲捷水道仅能开辟为3 000吨级及以下航道。通过核算太平洲捷水道的航道通过能力,综合分析预测航道尺度提高后,两岸岸线开发和分流主航道船舶所带来的通航船舶尺度和数量的变化,合理确定了设计代表船型。根据设计代表船型所需航道尺度计算,提出了太平洲捷水道设计航道尺度标准为5.0 m×200 m×450 m(水深×航宽×弯曲半径),可为太平洲捷水道的设计航道尺度标准确定提供参考。     

并列双线船闸单侧闸墙长廊道输水系统布置及水力学模型试验研究

长洲三线四线船闸为目前国内规模最大的单级船闸。针对其并列布置方案,提出单侧闸墙主廊道闸底横支廊道的输水系统形式。通过水力计算分析及1∶32的水工模型试验研究,提出输水系统的具体布置,确定船闸不同运行方式下的阀门开启方式,得到输水过程的相关水力特性,解决了单侧闸墙廊道布置下闸室水流分布不均的问题。研究表明:提出的输水系统布置是合理可行的,各水力特征值均满足规范和设计要求,且输水系统布置于两线船闸之间,便于管理,减小了工程量,并可减少船闸耗水量。研究成果可为巨型船闸设计及船闸节水研究提供借鉴。     

煤炭码头三维可视化管控系统研究与应用

基于虚拟现实技术、信息技术、网络技术等,构建煤炭码头三维可视化管控系统。通过与信息管理系统生产运营数据的对接,在网络环境下,实现煤炭码头生产运营状态的实时展示和实时信息查询,以及生产运营过程中设备的快速定位及紧急报警。该系统可为煤炭码头管理人员提供直观的、可交互的辅助港口运营分析、决策的平台。通过在黄骅港煤炭码头的工程应用验证了该系统的先进性和实用性。     

战场电磁兼容辅助决策模型构建*

针对当前战场电磁兼容难题,提出了基于动态频谱池管理的战场电磁兼容辅助决策模型,论述了战场电磁兼容辅助决策模型中关键的频谱感知、预测分析、频谱池分配与管理和辅助决策等模型,具有一定的工程应用价值。     

1万m~3 LNG运输船碰撞仿真模拟分析

以1万m3内河小型LNG运输船为例,探讨船舶碰撞数值仿真方法的分析过程和方法,获得该船与不同排水量撞击船相撞时临界撞击速度与撞击角度的关系曲线,根据计算结果对典型LNG运输船的安全运营给出意见和建议。     

基于二值图像处理技术的砂土颗粒统计方法

砂土具有压硬性、剪胀性、各向异性等力学性质,实质上是受其内部的细观结构的影响.利用试验和数值统计相结合的手段对砂土颗粒进行统计、细观结构进行量化分析,有利于深入研究砂土变形机理.文中基于数字图像中的二值图像处理技术,采用八邻域搜索和聚类方法实现了连通域的搜索和砂土颗粒的统计.结果表明该方法能较好地统计出染色砂土颗粒的个数和颗粒的分布情况,为进一步研究砂土内部结构性质变化与颗粒变化的内在联系奠定基础,对研究不同状态下的砂土微观结构的性质变化具有重要意义.     

玻璃气体放电管与陶瓷气体放电管的纳秒脉冲响应特性比较

气体放电管是一种常见的浪涌防护器件。选取2种具有相同静态击穿电压的典型气体放电管(玻璃气体放电管(SPG)和陶瓷气体放电管(GDT))进行试验,研究两者在百纳秒级电磁脉冲作用下的效应特性及其影响因素,并对其电磁脉冲防护能力进行比较。结果表明:对于具有相同直流击穿电压参数的SPG和GDT,在响应时间要求一致时,SPG的动作电压更低;当施加的电压相同时,SPG的响应时间更短;在电流要求低于3 k A的场合,SPG更适用于纳秒级电磁脉冲防护,鉴于其低电容,尤其适于工作在高频段的天馈系统。     

PIN二极管限幅器的电磁脉冲损伤特性试验

电磁脉冲作用下,位于射频前端的限幅器能对接收机起基本保护作用。通过试验研究基于多级PIN二极管的限幅器在方波脉冲和超宽带脉冲注入时的电磁脉冲损伤阈值以及损伤效应,发现当入射电磁脉冲幅度超过损伤阈值时,限幅器存在不可逆转的损伤累积效应。此外,利用时域反射技术对限幅模块的内部损伤部位进行了定位,发现相对于前级PIN二极管,后级PIN二极管更易发生损伤,损伤原因判断为前级二极管I层较厚,因此其对陡前沿脉冲的响应时间较慢、尖峰电压泄漏高达上百伏,导致后级I层较薄、耐压等级较低的PIN二极管受到过电压击穿。