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51.
Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation
(CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model
version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters.
With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC
gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is
used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing
transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain
junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from
130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down
from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp
DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results. 相似文献
52.
53.
随着我国的改革开放和经济的高速发展,我国城市化的进程也在加快,城市化的飞快发展,将导致城市交通运输量的急剧增加.从而将带来对城市客运交通能力,特别是轨道交通系统的需求增长。[编者按] 相似文献
54.
55.
旧桥利用是城市道路建设的难题,结合广明高速冼庄立交旧桥利用的实际工程,开展旧桥利用方式选择的分析研究。通过检测验算,掌握冼庄立交既有旧桥的状况,根据广明高速及冼庄立交的功能需求和建设条件,比选旧桥利用方案。建立空间有限元模型模拟新旧桥连接的力学行为,并以此作为开展旧桥加宽加固工作的依据。冼庄立交旧桥利用方案分析将为其它工程旧桥利用提供参考。 相似文献
56.
应用三维船体曲面模型进行破舱稳性计算 总被引:1,自引:0,他引:1
破舱稳性的计算是船舶设计中比较复杂的一项计算内容。M axsurf软件能够建立船体的三维曲面模型,从而可以方便、准确地进行破舱稳性的计算。介绍了应用M axsurf建立船体的三维曲面模型进行破舱稳性计算的经验与体会,并给出了一个算例。 相似文献
57.
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60.