三电平逆变器的硬件设计

根据三电平逆变器主电路功率开关多,驱动信号不能共地的特点,本文设计一种利用光耦隔离驱动功率开关器件的驱动保护电路,降低电磁干扰,并在过流等异常情况下实时保护功率开关器件。     

基于功率MOSFET管的RCC变换器研究

介绍了一种基于功率MOSFET管的RCC变换器,首先分析其工作原理,然后针对功率MOSFET管的特点阐述了RCC变换器电路中功率MOSFET管的驱动和电路参数设计.试验结果证明了该电路的实用性.     

柴油汽车滤清器感应加热装置设计

针对柴油汽车滤清器在冬季气温较低的环境中容易出现被蜡堵塞的实际情况,设计了一套超音频感应加热装置,该装置可直接安装在滤清器内部,具有良好的加热效果。     

4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析

SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC MOSFET的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC MOSFET器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4450 V的SiC MOSFET器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC MOSFET的静态特性理论。     

无刷直流电动机传动控制系统的改进与实现

采用互补型功率ＭＯＳＦＥＴ组成的三相六状态的逆变器电路对逆变器主回路及其驱动电路进行了改进。驱动电路中分别使用独立电源供电的光电耦合器实现功率ＭＯＳＦＥＴ的通用驱动方法，大大简化了电路的结构。根据样机中转子传感器的安装位置严格 推导出了位置传感器输出信号与逆变器驱动信号之间的逻辑关系，并以简单、可靠、经济的方法实现了这一电路。     

短沟道MOSFET器件特性的理论研究

通过求解泊松方程，从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性，给出了在短沟道下，描述上述三个参量的数学表达式，为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据。     

一种Buck-Boost模式的交流调压电路

采用MOSFET构成一对双向导电型电力电子开关，对交流电进行斩波控制，形成交流Buck—Boost电路。分析了该电路负载电压和电源电压之间的数量关系，介绍了一种适合本电路的电子开关系统。     

IR2181S驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项

三相全桥技术具有应用广泛,控制方便,电路简单等特点,因此,广泛应用于逆变电源,变频技术,电力电子等相关领域,但其功率MOSFET以及相关的驱动电路的设计直接与电路的可靠性紧密相关,如MOSFET的驱动电路设计不当,MOSFET很容易损坏,因此本文主要分析和研究了成熟驱动控制芯片IR2181S组成的电路,并设计了具体的电路,为提高MOSFET的可靠性作一些研究,以便能够为设计人员在设计产品时作一些参考。     

广州地铁车辆电流传感器的故障分析及研究

用地面检测设备对地铁车辆上的故障电流传感器进行检测．分析了该型电流传感器的主电路及其故障产生的原因．提出电流传感器设计解决方案．确保其长期工作的可靠性。     

3300 V全SiC MOSFET功率器件开关特性研究

为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温、回路杂散电感等方面探寻了开关特性变化的规律;最后,在样机上进行了验证。结果表明,文章中所述优化开关特性的方法对全SiC逆变器的工程应用有一定的指导意义。