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111.
为获取专用的绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型,实现IGBT电路的针对性优化,在Hefner模型的基础上,对IGBT的开通和关断状态进行了机理建模,并重点分析了其暂态过程.在此基础上,提出了基于神经网络优化算法对模型参数进行辨识的方法,获得了单个IGBT元件的机理模型.以一个FGA25N120型的IGBT为例,进行了仿真和实验研究,通过仿真与实验结果的对比,拟合优度达0.9,验证了本文所提机理模型的正确性及基于神经网络辨识所得参数的精确性. 相似文献
112.
113.
汽车电子点火系统的形式较多,电路及原理差异较大,使用要求也各不相同,应严格按厂家规定进行。在使用中一般应注意5个问题:1)器件位置须通风散热。各接线端必须正确、牢固,插接器要插接良好;系统中的晶体管器件最好安放在易于散热且通风良好的位置上。2)必须先断开点火开关。拆卸、连接点火系统导线(包括高压线)及用仪器检测时,必须先断开点火开关。同时,应谨慎使用"试火法"和"短路法"检查点火系故障,以防发生意外。清洗发动机时,也必须断开点火开关,不得直接清洗电子组件。 相似文献
114.
电池组电源管理系统(BMS)是纯电动和混合动力的电动汽车结构的关键要素。其电源管理的设计要点是确保锂电池效能的最佳化和最高的可靠性和安全性。智能型的方案不仅延长电池组的寿命,也增加了车辆的行驶距离。提供驱动电机电源的锂电池组有数百伏的高电压,对汽车电子系统的电磁兼容性、安全性带来一系列的影响,其可靠的实现方案也是电源管理系统的核心要求之一。 相似文献
115.
为了测量物体的转动姿态,往往利用接触式测量元件来获取待测目标转动角度信息。但在军事和民用领域,常需要一种低时间延迟、高输出频率及高测量精度的非接触式姿态测量方法。由此设计了一种利用高分辨率高速摄像机的光电成像测量方法来对物体的转动姿态进行快速测量,该方法采用协作靶标的高速摄影作为测量输入,通过解算靶标位置得到物体的转动姿态。仿真结果表明,该测量方法的测量精度优于0.05°,测量数据输出频率为500 Hz,时间延迟低于2 ms。因此,这种基于光电成像的目标转动非接触测量方法能够满足实时、高频、高精度的非接触测量需求。 相似文献
116.
介绍了红外制导导弹的类型和发展历程;重点阐述了MTV红外诱饵剂的燃烧反应、辐射特性及改进措施;分析了红外诱饵与目标特性的差别及对抗红外成像制导武器可能的技术途径. 相似文献
117.
118.
Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation
(CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model
version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters.
With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC
gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is
used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing
transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain
junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from
130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down
from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp
DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results. 相似文献
119.
120.