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大,再大,最大。按照常理,这时就已经达到了最高限度。然而事实上,“最大”一般有“更大”紧随其后。一旦涉及到技术发展就很难精确判断它的极限在哪里。集装箱航运业就是一个很好的例子。时下,倡导“最大化”这一主题的船舶并不在少数。那么,它们果真会被未来的船舶所超越吗?前方是否还会有新 相似文献
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由于船舶内部结构复杂,在进行双激光准直CCD的弯曲度测量时容易受管道内部条件干扰,难以实现双激光准直CCD的精准测量,为此设计了一种双激光准直CCD的弯曲度测量方法。通过建立靶标的动态旋转模型,得到双激光准直CCD轮廓,并对提取到的双激光准直CCD轮廓进行滤波处理。在此基础上,结合实际的物理尺寸进行现场校正,对得到双激光光斑的定位进行标定校正后,代入公式得到双激光准直CCD弯曲度幅值大小及方位角,实现双激光准直CCD的弯曲度的精确测量。实验对比结果表明,该方法能够有效测量双激光准直CCD的弯曲度,并且精准度较传统测量方法高,具有一定的实际应用意义。 相似文献
409.
通过Fluent软件建立了双缆式十四丝GMAW电弧三维数值模型,研究了不同双丝间距对双缆式焊丝GMAW电弧的温度场、速度场以及压力场特征的影响.研究结果表明:随着双丝间距增大,电弧最高温度变化不大,电弧温度最大值位于焊丝端部,耦合电弧由大电弧变成小电弧,耦合电弧无收缩现象;随着双丝间距从10 mm增加至20 mm,焊接电弧速度场和压力场最大值降低;双丝间距为10 mm时,电弧速度场和压力场最大值出现在两个主电弧中间,即速度入口的位置;双丝间距增加至15 mm和20 mm时,电弧速度场和压力场最大值向焊丝端部轴向转移. 相似文献
410.
为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件、SiC二极管]、SiC MOSFET和Si二极管的混合器件和全硅Si[绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、Si二极管]的变换器在电路损耗。结果表明:Si IGBT的开通和关断损耗约是SiC MOSFET的3倍和10倍,在不同工况下,全SiC变换器的转换效率比全Si变换器高1%~3.1%。因而,SiC功率器件在大功率DC-DC变换器的应用中,能够提高功率密度、可靠性和动力系统工作效率。 相似文献