PIC系列单片机在旋转工作台中的应用

生产线旋转工作台的控制逻辑本来十分简单，但是若用可编程控制器PC来控制，需占用大量的I/O点，费用太高，介绍了PIC 16C54单片机的主要性能，针对生产线旋转工作台控制逻辑相对独立的特点，提出了用PIC 16C54控制的方案。     

臭氧对船舶废气中氮氧化物的氧化试验研究

用管式反应器试验研究了反应温度、[O3]/[NO]对臭氧氧化NO的影响.结果表明,O3/N2/O2体系在常温、200℃、275℃下均不发生反应,N2不能被O3氧化;在O3/NO/N2/O2体系中,NO主要氧化为NO2,只有1～6(10-6)其他氮氧化物生成.如N2O and N2O3.当[O3]/[NI]=1、反应温度分别为常温和200℃时,NO氧化率都达到100%,而在275℃时,NO氧化率只有72%.表明反应温度影响显著,其原因主要与较高温度下O3分解加快有关.O3在不同温度下的分解试验发现,O3在常温下分解很慢;200℃时分解加快,在反应器中停留9 S时,O3的分解率为59%,而275℃时分解更快,在反应器中停留9 s时,O3的分解率为80%.试验结果还表明,NO氧化率与[O3]/[NO]成线性关系.     

r板状α-Al2O3制备过程中的影响因素：2007—06—27

以AlF3作为添加剂，采用醇盐水解法制备板状α-Al2O3粉体．通过XRD、SEM、TG研究了热处理温度、AlF3加入量、水热温度对产物晶相及板状形貌的影响．研究结果表明：AlF3可使α-Al2O3相在800℃至900℃之间形成；一定水热温度下，随AlF3加入量增大，α-Al2O3，的微观形貌是从不规则的板状多面体向规则的六角平板状发展；随水热温度升高，α-Al2O3微观形貌则由多面体结构向六角板状结构再到“蠕虫状”结构转变．     

ET200B在数控冲孔机上的应用

介绍了采用西门子的ET200系列分布式I/O在实际中的应用,并结合我厂的数控冲孔机夹钳控制线路改造,解决设备的控制导线多的问题,避免经常发生控制线断线的故障。并阐述了ET200B的应用。     

纳米氧化铁的制备及其形貌

利用乙酰丙酮铁在空气中的低温热分解反应，制备了Fe3O4，γ-Fe2O3纳米微粒．采用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、比表面积法（BET）对制得的产物进行粒径及形貌表征．结果表明：Fe3O4一次颗粒粒径为16nm左右；γ-Fe2O3一次颗粒粒径约为20nm，颗粒间排列紧密，二次颗粒呈链状，有形成一个封闭空间的趋势．     

一种数字量的安全输入/输出模块的设计与实现

本文在分析可扩展安全计算机平台实时性和安全性要求的基础上,提出基于可编程逻辑器件(FPGA)和时钟级同步2取2结构的安全输入/输出(安全I/O)模块的设计方法.深入阐述了安全I/O模块的硬件设计原理和基于PSL语言的断言验证方案.功能仿真和形式化验证结果说明了设计的正确性,同时在EDA开发平台上长时间稳定性的测试结果也证明了安全I/O模块的正确性和安全性.     

Fe32Mn3Al8Cr反铁磁精密电阻合金Al2O3防护涂层的研究

用溶胶-凝胶法在Fe32Mn3Al8Cr反铁磁精密电阻合金表面提拉制备Al2O3耐腐蚀防护涂层.采用X射线衍射分析涂层相结构,扫描电镜观察涂层表面形貌.在Fe32Mn3Al8Cr合金表面形成连续、光滑的Al2O3涂层,具有(110)择优取向的γ-Al2O3结构.采用动电位阳极极化法测定涂层的电化学腐蚀性能表明,与原始合金相比较,在1mol/L Na2SO4溶液中,Al2O3涂层的自腐蚀电位提高了571mV,自腐蚀电流密度降低了1个数量级以上,维钝电流密度降低了近1个数量级;在1%NaCl溶液中,自腐蚀电位与原始合金相当,自腐蚀电流密度降低了2个数量级,腐蚀电位高达2000mV(SCE)时仍未发生孔蚀击穿.而且,Al2O3防护涂层的耐均匀腐蚀和耐孔蚀性能均优于1Cr18Ni9Ti奥氏体钢.     

浅谈摩托车化油器O型密封圈的设计

O型密封圈结构简单、密封可靠、成本低,在摩托车化油器中应用十分广泛,主要作用是静密封,有径向密封和端面密封。在实际应用中,O型密封圈常出现密封不严及装配困难等现象,因此在设计时应特别注意。     

关于Oracle数据库设计、开发、应用的探讨

Oracle数据库具有良好、稳定的大数据处理能力,安全、高可用的并发数据访问功能,被铁路运输等大型国有企业广泛应用.随着Oracle数据库的不断升级,不少企业在应用过程中,设计和开发方面存在一些“误区”,不同程度地导致企业在Oracle数据库的应用上效率不高,反映迟缓等现象.因此,本文结合作者多年开发和维护Oracle数据库的经验、体会,总结了Oracle数据库在设计、开发、应用方面容易出现的“误区”,阐明了需要重点注意的若干问题.