基于碳化硅材料柴油机颗粒过滤器开发与试验

阐述了碳化硅为原材料的柴油机颗粒过滤器生产工艺,并对载体的微观结构进行SEM分析和用压汞仪测试,结果表明重结晶碳化硅过滤器微孔分布均匀一致;对载体进行适应性涂敷试验,SEM分析结果表明:含有催化剂浆料可以均匀地涂敷在碳化硅晶粒上;载体对PM的过滤效率进行了发动机台架测试,过滤效率高达99%。     

搅拌铸造SiCp／ZL101复合材料孔隙率的研究

阐述了搅拌铸造制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料孔隙率的测定方法，分析了复合材料中形成孔隙的原因和影响因素，并从真空度、搅拌杆形状、搅拌时间、浇注系统设计、浇注方式、改善SiC和基体界面浸润性等方面，探讨了降低搅拌铸造制备铝基复合材料孔隙率的措施和方法．结果表明，通过采取合理的制备方法和工艺参数，可以有效地使所制备材料的孔隙率降低到1％，提高材料的复合质量．     

New Age 博格华纳为何钟情碳化硅?

电动汽车发展还有上升空间吗?更大的电池?更加密集的充电网络?再快一点弹射起步?还是全都要?一直以来围绕电动汽车的最大痛点,其实是人们内心中对于电本身的焦虑和无奈。为什么痛苦?车企都在围绕这个核心又迷茫的话题不断进行探索。换电、大电池、高密度三元锂,这些技术并不是实行的困难有多大,也不是效果有多不好.     

电沉积Ni-SiC复合镀工艺及性能的研究

采用共沉积法(CECD)，在悬浮SiC微粒的镀镍液中制备Ni—SiC复合镀层，研究了电流密度和镀液中SiC微粒浓度对复合镀层中SiC微粒含量的影响。试验结果表明，提高SiC微粒在复合层中的含量，可以显著地提高复合镀层的硬度。     

宽禁带功率器件键合缓冲技术的可靠性分析

在电力电子应用中,性能优于硅功率器件的宽禁带功率器件得到广泛关注。然而,传统功率器件封装中的芯片顶部的电气互连结构现在已成为限制宽禁带功率器件寿命的主要因素。因此,有必要通过使用键合缓冲技术将铜键合线、焊带和引线框架来代替铝键合线作为芯片顶部的电气互联以满足宽禁带功率器件在高温工作条件下的要求。文章回顾了不同键合缓冲技术和金属键合材料在功率循环测试中的可靠性表现。其中,因瓦合金键合缓冲材料与铜键合线的结合在众多键合材料中显示出最强大的功率循环测试能力。失效分析显示,宽禁带功率器件封装的薄弱点已经从芯片顶部的键合材料变为氧化铝陶瓷衬底或芯片上表面的铝金属层。     

1200 V SiC MOSFET器件的体二极管抗浪涌能力研究

对1 200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力进行了试验测试分析与评估。其中,平面型SiC MOSFET展现出了最优的抗浪涌能力,最大浪涌电流密度峰值达到了35 A/mm~2,而双沟槽型与非对称沟槽型SiC MOSFET的抗浪涌能力大致相等,分别为22 A/mm~2和25 A/mm~2。在经过最大浪涌电流后,3种SiC MOSFET器件的门极阈值电压、漏极电流和击穿电压均发生了失效,其失效原理均为热击穿而导致的三端短路。对比测试结果表明,平面型SiC MOSFET由于较少的栅氧化层缺陷而展现出良好抗浪涌电流能力,而双沟槽型SiC MOSFET由于浪涌应力下的沟道处泄漏电流导致更强的热效应,更容易在浪涌测试中发生失效。     

4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析

SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC MOSFET的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC MOSFET器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4450 V的SiC MOSFET器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC MOSFET的静态特性理论。     

轨道交通列车碳化硅充电机器件损耗计算方法

第三代宽禁带半导体——碳化硅器件的广泛应用,使轨道交通列车充电机系统中器件的损耗计算逐渐成为列车电源系统设计中的一项关键技术.提出了一种碳化硅器件的损耗计算模型.基于PLECS软件进行了碳化硅器件的损耗仿真对比,验证了该损耗计算模型的合理性.对所研制的碳化硅充电机进行了功能验证,验证了碳化硅器件损耗计算模型在实际应用中的正确性.     

用铝基钎料钎焊SiC陶瓷及其在SiC陶瓷表面浸润性的研究

测定了在10