恩智浦推出采用新型FlatPower封装的TVS二极管

恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出新系列瞬时电压抑制器（TVS）二极管，新系列产品采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率00／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm^2，是市场上采用类似封装的TvS产品浪涌能力的2倍以上。     

功率半导体推动高速电气化铁路发展

早在19世纪70年代，德国就建成了当时最早的电气化铁路线。但是由于当时技术的局限性，机车的牵引电机都是直流电机，采用机械接触器或者继电器对电机进行控制和保护。虽然这种技术有着明显的不足，比如调速不连续，寿命短等，但是这在当时已经是跨时代的设计了，这样的设计一直延续到了第一代的功率半导体器件二极管的诞生，由于二极管有着正向导通，反向截止的特性，能方便的构成整流桥。这使得交流电网能方便的被应用到电气化铁路上来。     

南京宁天城际线车辆压敏电阻和续流回路故障分析

针对南京地铁宁天城际线车辆在运营初期出现的压敏电阻和续流回路故障现象,从电路保护原理、器件失效和故障数据分析以及试验验证等方面对故障现象进行分析和探讨,并提出整改措施,经长期运行考核表明,车辆运行状态良好,类似故障未再发生。     

10kV架空线防雷不能只堵不疏通

1．雷击跳闸的原因 采取不接地的10kV架空线，可能发生雷击跳闸的原因不外乎下面三个原因： 1）电容电流过大，易因雷击发生的工频续流而引起跳闸：     

低米勒电容超结MOSFET开关过程及反向恢复性能仿真研究

针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、不同栅极结构SJ-MOS的静态特性差异,并与实测数据对比,验证建立模型的正确性。从空间电荷区不均匀拓展的角度,分析不同工艺路线器件的C-V特性测试中"电容转折"现象的微观机理。研究了感性负载下SJ-MOSFET开关过程中栅极电压、漏极电流、漏源极电压随时间变化关系,并搭建寄生体二极管反向恢复测试平台,探究了不同工艺对于反向恢复电荷、峰值电流等参数的影响。研究内容可指导器件设计,提高功率半导体器件在机车应用场景中的匹配度。     

质子辐照技术在软恢复二极管中的应用

介绍了质子能量与辐照深度的关系及质子剂量与软恢复二极管各项性能参数的关系,阐述了质子辐照技术的优越性,还介绢了在软恢复二极管研制中质子辐照配合电子辐照的实际应用。     

改装小技巧巧设充电器保护装置

为了防止充电器的意外烧坏,造成不必要的损失,我们可以用一个简单的保护装置有效地保护充电器安全.保护装置主要是利用整流二极管正向导通,反向截止的工作特性保护充电器.     

基于二极管箝位级联拓扑变流器的直驱风电用变流技术

直接驱动型风力发电系统需要全功率变流器作为与电网的接口，多电平变流器的应用得到了广泛关注。二极管箝位五电平级联H桥拓扑，结合了二极管箝位型多电平和级联H桥多电平的优势，只需较少的箝位二极管和独立直流电源，即可进一步提高输出电压等级；使用移相变压器和12脉波整流器作为输入电路.可以方便地应用在使用多相永磁同步发电机的直驱风电系统中。基于拓扑提出了消谐波SPWM和载波相移SPWM相结合的调制方法，能够方便地对二极管箝位级联拓扑进行控制，可以进一步提高等效载波频率，减小器件损耗和滤波器体积。仿真和实验结果证实了所采用的拓扑及其控制方法的有效性。