运营公路隧道安全评估

通过对某运营公路隧道的衬砌和路面状况、衬砌厚度与其背后回填状况、衬砌混凝土强度、隧道净空断面、风道吊杆和吊顶板、隧道路面横坡及抗滑性能等的调查与检测,对其安全性进行了评估,结果表明下行隧道病害严重,已达到“2A”级,需要尽早对隧道衬砌背后的空洞、隧道衬砌裂缝和渗漏水等问题进行全面综合整治。文章介绍了该隧道安全评估的检测项目、方法及频率。     

隧道衬砌背后空洞破坏机理及防治措施研究

结合中国隧道的病害特点,阐述了导致衬砌背后空洞的主要原因及其危害;用解析法分析了空洞对衬砌结构的破坏机理;根据空洞病害破坏特征及其相应的研究成果,探讨了空洞风险评估分级方法,并提出了相应的整治措施。     

铁路路基道碴囊及路基空洞注浆加固治理

对既有铁路软弱桥头、路基碴囊及路基空洞采用注浆加固,可使路基承载力显著提高,且施工不要点、不封闭、不缓行,提高了铁路的综合效益。注浆加固是整治类似病害而不影响运营的一种较好方法。     

存在衬砌背后空洞的隧道计算模型研究及应用

本文根据公路隧道衬砌背后空洞病害特征，在病害成因、病害形成过程与机理分析的基础上，利用接触方法建立了包含衬砌背后空洞的隧道计算模型，并初步分析了空洞形状参数对衬砌结构围岩压力和安全系数的影响。     

浅谈影响卡车白车身气密性的因素

白车身的气密性是驾驶室气密性的基础。文章对卡车白车身设计过程中影响气密性的因素进行了梳理,并对这些因素出现的部位及设计要点进行了说明,同时建议了一些气密性控制方法。     

上海市中心城区道路地下空洞预判研究初探

上海市中心城区道路由于封交原因,难以及时维护,一旦发生道路塌陷事故,易造成恶劣社会影响。为提升道路地下空洞探测精度,评估道路存在地下空洞的风险,总结研究了近年来上海市城市道路塌陷的典型案例,并汇总分析了国内现行城市道路塌陷的相关规范与标准,探索出了一整套可落地实施的地下空洞预判流程。结论如下：地下空洞的成因可主要归纳为地下管线渗漏、环境因素作用、地下施工干扰三类;预判指标可选取施工干扰、道路现状、地面荷载、岩土体条件、水环境条件、地下管线管龄、地下管线材料、地下管线类型、管线埋设方式、管线管径等;预判步骤可分为评估段划分、因素指标获取、线性加权、地下空洞等级划分四步。指导了道路地下空洞预判方法的进一步探索,最终实现地下空洞探测工作的高效化、精确化。     

隧道空洞落石对衬砌结构安全性影响分析

以大梁山隧道为依托,采用地层结构模型对隧道结构及空洞进行数值模拟,计算不同冲击力作用下结构的安全系数.以落石质量、缓冲层厚度为变量,确定结构在不同状况下所应采用的最合理的加固参数.最终得出隧道支护结构的最合理形式,以确保隧道运营过程中的安全.     

基于小波提升格式理论的隧道衬砌缺陷定量识别分析

为提高探地雷达信号分析中小波基函数选取或构造的针对性和适应性,降低构造计算复杂性,并使所构造的小波基能更准确提取隧道衬砌结构背后空洞检测信号特征点信息,提出一种根据提升格式小波理论和目标信号波形特征来构造匹配小波的方法,并将所构造的小波基应用于空洞检测信号特征点的识别中。该方法以完全重构滤波器条件和提升格式小波为理论基础,首先选择一个简单而一般的初始双正交滤波器组,通过对初始双正交滤波器进行提升和对偶提升,获得不同的提升算子和对偶提升算子,从而得到更新后含自由变量的高阶滤波器组函数表达;其次,依据探地雷达信号的固有特点,对新滤波器组中重构端小波函数中的自由参数进行优化,并对新小波基与实际探地雷达信号的相似度进行计算和检验,最终构造出既满足线性相位、紧支撑性,又具有与探地雷达信号匹配度高等优势的新双正交小波基。将新小波基应用于室内空腔检测试验及实际工程中空洞缺陷的定量分析中,结果表明,同其他类型小波相比,用提升方法构造的小波能更准确地识别空洞缺陷信号突变点发生的时刻和位置,能更准确地实现隧道工程中空洞缺陷的位置和垂直尺寸的定量分析,从而大大提高探地雷达对缺陷探测的可靠度和准确度。     

岩溶地基稳定性的分析评价方法探讨

近年来,对岩溶空洞地基稳定性的分析评价研究取得较多进展,经历了从定性到半定量到定量的过程。文章根据影响溶洞和土洞顶板稳定性的多种的因素,综合论述了工程实践中常用的岩溶地基稳定性分析评价方法及其适用范围,并简要探讨其发展趋势。     

热界面材料层空洞对有无基板IGBT模块芯片结温影响对比研究

新兴的无基板模块广泛应用于新能源领域,其对热界面材料的涂敷要求较高,但相关的研究目前较少。文章针对热界面材料（Thermal Interface Material,TIM）层空洞率不同时,对有、无基板IGBT模块上的芯片结温变化规律进行了仿真研究。通过建立精确数值模型进行稳态热仿真试验,根据试验结果定量分析有、无基板模块上的芯片结温受TIM空洞影响程度。结果表明,相比无基板模块,有基板模块上的芯片结温低,试验芯片分别低8.578 K和9.544 K左右;在TIM层空洞率上升时,对于结温升高速率,无基板模块比有基板模块大,无基板模块的大芯片和小芯片的升温速率分别约为对应的有基板模块大、小芯片的32.190倍和240.875倍;大芯片结温上升速率均比小芯片低,对于有、无基板的模块而言,前者分别约为后者的23倍和3倍。无基板模块对TIM层状态更敏感,要求更高。