氧气浓度和湿度控制设备

氧气浓度控制元件中，阳极1和阴极2由固体电解质薄膜3隔开。两电极之间的最短距离不超过50μm，以加速生成的水从阴极向阳极反扩散。可以省去向阳极供水的水箱和泵。氧气浓度或湿度控制设备存储在辅助电池112中，其中光电元件111配制在开口的空间101，以控制来自光电元件的大气和电能，于是节省设备的空间。即使关闭电源也可以实现连续操作。湿度控制器的功能既是增湿器又是除湿器。     

热电偶的检定与时效处理

热电偶作为温度传感器广泛应用于工业生产中.热电偶产生测量误差有3个原因:一是在制造时,热电偶材料由于受到外力的作用而产生应力,造成应力分布的不均匀;二是在使用中往往会受到其他化学成分的影响而使得材料成分发生变化;三是使用中产生的误差.后者因与工艺或生产过程有关,这里不再赘述,只讨论前面2个原因.     

酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析

利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据，分析了酞菁铜／铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性．利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式，对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析，分析了VGS影响OSIT特性的原因．     

PLZT铁电薄膜反转特性分析

测量了PLZT(7/60/40)铁电薄膜的开关电流,并用KA模型对数据进行了拟合.结果表明,该铁电薄膜极化反转属于无潜核的类型Ⅰ和有潜核的类型Ⅱ的混合型.从铁电畴生长维数和imaxtmax/Pr得知,低电场中潜核对铁电畴反转的贡献大于均匀成核的贡献,强电场下均匀成核的贡献大于潜核-生长的贡献,电场会改变两种类型对电流的贡献.     

Si基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜

采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓Si基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。用红外透射谱（mR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、选区电子衍射（SAED）和荧光光谱（PL）对样品进行组成、结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明：采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN薄膜。同时显示预沉积的扩镓硅基较预沉积后再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长。     

溶胶－凝胶法制备氧化铝薄膜

以异丙醇铝为原料，研究了溶胶的浓度、粘度及加入电解质的种类，电解质的浓度和焙烧温度等条件对成膜的影响．     

PVDF压电薄膜结构监测传感器应用研究

压电材料是目前在智能材料系统研究中应用最为广泛的传感材料之一。由于PVDF压电薄膜具有制作成本低、机械性能好、灵敏度高等优点而受到了广泛关注。以PVDF压电薄膜作为结构监测的传感元件,对PVDF的应变传感原理进行了研究,并建立了基于信号采集与处理的PVDF应变监测系统,最后对PVDF监测构件裂纹进行了实验。实现了压电薄膜的应变与裂纹监测,为实际工程应用奠定了基础。     

Investigation of ITO Thin Film Deposited on Organic Films by RF Magnetron Sputter

Introduction Indium tin oxide (ITO) film has been widely used as a transparent conductor due to its high transparency to visible light and its low electrical resistivity.ITO film can be prepared by many techniques,including thermal