计算机自动控制热电偶检测系统

计算机自动控制热电偶检测系统是按照检定规程对检测精度要求采用数字PID控制，运用工业控制软件开发工具对炉温控制系统进行优化，使温控达到标准化，同时对标准偶和被检偶的数据采集、处理、检定结果进行综合分析。     

大型聚碳酸酯车窗的薄膜内嵌成型

聚碳酸酯大型三维汽车车窗组件。如全景车窗等，凭借车辆独特的设计风格及该类组件的减重潜力，时下广为风行。在批量生产中，注塑-压缩成型加工工艺无疑是生产聚碳酸酯车窗的最佳选择，因为在减小的注塑压力下，生产出的组件不仅内应力小，变形度低，且表面质量极佳，非常适合涂层的涂覆。为进一步发展这类技术，拓展提供给客户的服务范围，     

热电偶在使用过程中的误差分析及改善措施

１　冷端温度误差　　根据“国际实用温标——１９６８”修正的热电偶分度表是在热电偶冷端温度等于０℃的条件下测得的。在实际测量当中，由于冷端温度常随周围环境的变化而变化，将产生测量误差，因此必须采用修正措施。修正方法具体如下：在工作中如果冷端不是０℃而是某一恒定温度Ｔ０，当热电偶工作在温差为（Ｔ，Ｔ０）的环境时，其输出电热为Ｅ（Ｔ，Ｔ０）。将电热换算到冷端０℃时为：Ｅ（Ｔ，０）＝Ｅ（Ｔ，Ｔ０）＋Ｅ（Ｔ０，０）也就是说，在冷端温度为不变的Ｔ０时，要修正到冷端为０℃的电势，应再加上一个修正电势——即此热…     

船用热电偶检测误差及其标定

文章详细介绍了船用柴油机所使用的热电偶温度检测装置，以及热电偶在实际应用中产生误差的几个主要因素，同时提出了消除误差的措施与标定热电偶的方法。     

走进个性化涂层

Sulzer Metco（苏尔寿美科）面向航空航天、发电、汽车、机械工程和加工等工业技术领域提供其卓越的热喷涂和薄膜技术。通过帮助用户拓展其产品和能力组合，他们的表面工程方案创造了全新的销售和市场机会，从而使其实现了增值和产品性能的提升。用户因为产品使用寿命和性能的提高而大大降低了产品更新所需要的成本，那么这些领域的关键是如何通过采用先进表面处理方案来促进生产率的提高？[编者按]     

有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性

根据Au／CuPc／Al／CuPc／Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果，分析了该三极管动作特性与器件结构的关系．结果表明，该三极管驱动电压低，呈不饱和电流一电压特性．其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构．合理设计、制作梳状铝电极，可获得良好的三极管静态、动态特性．     

21／4Cr—1Mo钢薄膜试样制备的最佳工艺规范

在５％高氯酸酒精溶液中采用双喷电解抛光技术制备了２１／４Ｃｒ－１Ｍｏ钢薄膜样品，试验了光解抛光温度、电压和电流密度对薄膜试样质量的影响，通过透射电镜分析，确定出当温度为－４０℃，电压为６０Ｖ，电流密度为４．２ｍＡ／ｍｍ＾２，可制出理想的电镜薄膜试样。     

差异沉降对加筋土挡墙筋带内力与变形的影响

采用正交设计进行加筋土挡墙缩尺模型试验。通过对筋带延伸率、筋带密度、筋带与面板连接方式三个可变因素的二水平4组试验,研究墙后填土与墙面板之间的差异沉降对筋带变形的影响。结果表明,差异沉降导致筋带不再保持原来的水平位置,其竖向变形可以用指数曲线描述。应用弹性薄膜理论与筋土相互作用耦合方程对筋带变形及内力进行的分析表明,差异沉降导致的筋带应变由水平位移和竖向挠度共同引起,该应变比常规设计中筋带应变大,将导致筋带受力条件恶化,挡墙安全度降低。     

Nc-Si Thin Film Deposited at Low Temperature and Nc-Si Heterojunction Solar Cell

This paper reported some results about intrinsic nanocrystalline silicon thin films deposited by high frequency (HF) sputtering on p-type c-Si substrates at low temperature. Samples were examined by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), infrared absorption, and ellipsometry. XRD measurements show that this film has a new microstructure, which is different from the films deposited by other methods. The ellipsometry result gives that the optical band gap of the film is about 2.63 eV. In addition, the n-type nc-Si :H/p-type c-Si heterojunction solar cell, which has open circuit voltage (Uoc) of 558 mV and short circuit current intensity (Isc) of 29 mA/cm^2, was obtained based on the nanocrystalline silicon thin film. Irradiated under AM1.5, 100 mW/cm^2 light intensity, the Uoc, Isc, and FF can keep stable for 10 h.