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991.
金属喷涂是用高速气流将被热源熔化的金属(丝材、棒材或粉末)雾化成细小的金属颗粒,以很高的速度喷敷到已准备好的零件表面上。 相似文献
992.
993.
一辆切诺基越野车.它的发电机和压缩机与曲轴之间的传动采用多楔传动带。经维修后装上正规厂家生产的配套使用的多楔传动带试车,过不了多长时间就跑边报废.使用寿命短得不合常理。 相似文献
994.
日本电力机车受电弓滑板的发展及浸渍金属碳滑板的开发 总被引:6,自引:1,他引:5
介绍了日本电力机车用受电弓滑板的发展过程,分析了这些滑板在实际使用中存在的问题.通过叙述日本浸渍金属碳滑板的研制、性能及其应用状况,指出浸渍金属碳滑板具有很好的发展前景. 相似文献
995.
996.
目的观察榄香烯乳联合化疗对小鼠Lewis肺癌的抑瘤作用,探讨其抑瘤作用机制。方法 32只C57BL小鼠右腋下接种Lewis肺癌细胞成瘤,随机分为4组:肺癌模型组、化疗组(足叶乙甙3mg/kg+顺铂3mg/kg,6mg/kg)、榄香烯乳组(100mg/kg)、榄香烯乳+化疗组(106mg/kg),每组8只。连续给药7d后,观察脾脏及胸腺指数变化,测定抑瘤率及抑制转移率,并进行组织病理学检测以及透明质酸酶(HAase)和组织金属蛋白酶抑制剂-1(TIMP-1)蛋白表达测定。结果与单纯化疗组比较,榄香烯乳联合化疗组抑瘤率及抑制转移率明显升高,肺癌小鼠脾脏指数及胸腺指数显著增加,瘤组织细胞形态结构得到改善,TIMP-1蛋白阳性表达率降低明显。结论榄香烯乳联合化疗对小鼠Lewis肺癌的抑瘤作用明显,其作用机制与增强细胞外基质及免疫调节有关。 相似文献
997.
甲状腺乳头状癌中MMP2、COX-2、VEGF和MVD的表达及临床意义 总被引:2,自引:2,他引:0
目的研究甲状腺乳头状癌(PTC)中环氧合酶-2(COX-2)、血管内皮生长因子(VEGF)、基质金属蛋白酶(MMPs)表达和微血管密度(MVD)计数与PTC的临床病理特征之间的关系,并用以评估恶性程度、预后。方法运用免疫组化染色方法,检测32例PTC和18例正常甲状腺组织中的COX-2、VEGF、MMP2表达和MVD计数,并分析其与临床病理特征的关系。结果COX-2、VEGF、MMP2和MVD在PTC中的表达分别为(中位数和四分位距表示):M(Q3-Q1)=5(1),M(Q3-Q1)=5.5(2),M(Q3-Q1)=5.5(1)和M(Q3-Q1)=28(5.75),与对照组相比差异均有统计学意义(P<0.05)。COX-2、VEGF、MMP2、MVD的计数表达与患者的年龄、临床分期、淋巴结转移有关(P<0.05);COX-2与VEGF还与性别有关(P<0.05);VEGF、MMP2的表达及MVD的计数还与患者肿瘤大小有关(P<0.05)。COX-2、VEGF、MMP2和MVD在被膜浸润组中的表达分别为:M(Q3-Q1)=6(2),M(Q3-Q1)=6.5(2),M(Q3-Q1)=6(1.75)和M(Q3-Q1)=30(7.75),被膜未浸润组中的表达为:M(Q3-Q1)=5(1.75),M(Q3-Q1)=5(1.75),M(Q3-Q1)=5(1.75)和M(Q3-Q1)=26.5(4);COX-2、VEGF、MMP2和MVD在被膜浸润组与未浸润组之间的表达差异具有统计学意义(P<0.05)。PTC中COX-2、MMP2、VEGF和MVD的表达相互之间具有显著的正相关性(r>0.5)。结论甲状腺组织中MMP2、COX-2、VEGF的高表达可能促进了PTC的发生和肿瘤淋巴结转移;这与调控肿瘤新生血管有关。检测其表达对评估PTC的恶性程度及预后有一定意义。 相似文献
998.
110 kV单芯高压电缆护套环流的产生危及电网系统安全运行。为此,需采用行之有效的措施对环流加以抑制。采用ATP仿真软件对电抗器抑制方法进行系统仿真,并根据系统继电保护要求对电抗器进行电磁参数和动热稳定设计、试制、试运行。电抗器方法的使用在国内尚属首次。计算及试运行的结果表明:该方法抑制环流效果明显。局限性:当三相不平衡时,电抗器不能补偿相位。本方法对单芯高压电缆护套环流问题的处理具有实用、推广意义。 相似文献
999.
1000.
黄海铭 《湖北汽车工业学院学报》2013,(4):68-71
采用第一性原理计算方法研究了c/a形变下FeNCN晶体的电子结构。结果表明在c/a形变下FeNCN晶体经历了半金属性到金属性的变化,当c/a不大于2.5时,FeNCN晶体表现为半金属性;当c/a大于2.5时,FeNCN晶体表现为金属性。Fe原子是晶体分子磁矩的最主要的贡献者,其自旋磁矩受c/a变化的影响程度较小。当FeNCN晶体表现为半金属性时,其分子磁矩能维持在稳定的整数值8.00μB;随着c/a的增加,分子磁矩逐渐减小。对c/a为2.3时FeNCN晶体电子结构的研究表明:此时自旋向上的子能带表现出间接带隙的半导体特征,晶体的半金属隙为0.11 eV。 相似文献