4H-SiC基稀磁半导体的电子结构

通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和Al、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、TM共掺4H-SiC中掺杂V的结构是最稳定的.对比TM元素单掺杂和Al与TM元素共掺杂体系的磁性质可知,Al有稳定结构和影响结构磁性的作用.     

美国飞思卡尔公司:电动车智能电池传感器面市

<正>飞思卡尔半导体公司发布了业界首款符合AEC-Q100标准的智能电池传感器——MM9Z1J638。它将16位MCU、32位MCU和CAN共三个测量通道整合为一个独立部件,可匹配传统的和新型的车用或工业用电池。MM9Z1J638电池传感器测量电池的关键参数,监控电池的SOH、SOF和SOC,     

DC gain analysis of scaled CMOS op amp in Sub-100 nm technology nodes: A research based on channel length modulation effect

Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation (CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters. With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from 130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results.     

半导体制冷技术在药液冷却中应用研究

根据半导体致冷的特点,将半导体致冷技术应用于药液制冷,并且给出了药液半导体致冷器的最佳工作参数计算式。最后用实例证明了,与Qmax状态和εmax状态相比,按该状态设计的半导体致冷器制冷量与功耗量的综合效益达到最优。     

电控汽车蓄电池的正确使用与维护

汽车电控系统中的电控元器件非常敏感,对蓄电池的通、断电状态提出了较高的要求。一是中央控制器（CPU）大量使用二极管、三极管,而这些半导体元件生性“娇嫩”,对感应峰值电压的耐受程度较差,不能承受高电压和大电流冲击;二是控制电路中的许多设计只有使用5伏左右的低电压,才能保障其正常工作;三是当电路突然断开时,会在绕组中产生极高的瞬间自感电动势。     

商务版

全面展示中国激光与光学行业——2009慕尼黑上海激光、光电展预览工业化国家近年来在激光和光学技术研发上的飞速进步有效地推动了国际市场的蓬勃发展,与此同时,中     

Ramtron非易失性状态保存器通过Grade 1汽车标准认证

非易失性铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation日前宣布,其两款非易失性状态保存器FM1105-GA和FM1106-GA已经通过AEC—Q100 Grade1认证。这些状态保存器可按要求保存信号状态,并在上电时自动恢复到正确状态。F—RAM技术具有独特的快速写入能力、几乎无限的写入耐久性及低功耗特性,能够实现这种功能。     

飞思卡尔提供经济高效的8位MCU专为工业和汽车电机控制而优化

2009年11月16日,通过推出S08MP16,飞思卡尔半导体公司正在扩展其嵌入式电机控制系列。这种入门级8位微控制器（MCU）系列为从工业驱动到汽车电子燃油泵等无刷直流（BLDC）电机控制应用提供了一种安全、精确且成本优化的解决方案。     

2021年11月全球多数国家汽车销量下降

<正>根据全球主要汽车市场发布的销量数据显示,2021年11月,由于半导体供应短缺持续影响全球的汽车生产大多数汽车市场销量呈现出"跌跌不休"的趋势。美国:新车销量104.0万辆,同比下降15.8%根据美国商务部经济分析局发布的数据显示,2021年11月,美国汽车销量完成104.0万辆,同比下降15.8%。2021年1-11月,美国汽车销量累计达1414.1万辆,同比增长6.9%。     

岸桥空调系统的管理与维护

现代集装箱码头的岸桥上电气传动系统已普遍采用先进的交流全变频调速系统,系统中的半导体功率器件在工作过程中因大电流而产生大量的热量,同时它又对温度变化非常敏感,导致其最终损坏的原因是它本身的结温。环境温度越高,结温越不易迅速散发,损坏几率越大。变频器工作环境温度