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11.
12.
13.
研究了18Cr-18Mn-0.7N奥氏体钢低温脆断过程与断口,发现该钢断裂过程中存在沿晶断裂、退火孪晶界断裂及穿晶断裂三种断裂模式,且沿晶及退火孪晶界裂纹先于穿晶裂纹形成,在此基础上对其低温脆断机制提出了新见解. 相似文献
14.
首次采用添加分散剂溶胶-凝胶法制备软磁纳米材料Fe2O3,采取添加分散剂和改变焙烧方法保证晶粒尺寸.实验结果表明:软磁纳米晶制备中添加分散剂尿素,然后在高温(600℃)焙烧前增加一个低温(400℃)退火阶段,两项措施能保证Fe2O3原始晶粒尺寸在30~40nm.试验操作简单、过程易于控制、产品质量稳定. 相似文献
15.
16.
17.
由于含蜡原油中蜡的形态、结构是影响原油流动性的主要因素,通过研究剪切作用定量影响蜡晶形态、结构的机理,将有助于研究剪切作用影响原油流动性的机理.为此,以蜡晶形态参数为因变量,以表征剪切模拟量的参数粘性流动熵产,以及原油化学组成参数为自变量,建立了定量关系式.定量关系式显示,含蜡原油在析蜡点以下的温度被剪切时,剪切作用与原油的化学组成可显著影响蜡晶的形态、结构.粘性流动熵产越大,原油蜡含量与析蜡量越高,胶质含量越低,则蜡晶聚集体越容易被破坏. 相似文献
18.
Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation
(CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model
version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters.
With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC
gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is
used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing
transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain
junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from
130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down
from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp
DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results. 相似文献
19.
20.
采用二次生长成膜的方法,在合成液的配比为46Na2O∶12.8SiO2∶1Al2O3∶4 500 H2O的稀溶液中,在大孔α-Al2O3陶瓷管载体外表面,合成出致密的FAU型沸石膜,并用扫描电镜、X射线衍射以及气体渗透性能等手段对沸石膜进行了表征.用热浸渍法将与载体孔径尺寸相近的晶种引入载体表面,晶种嵌入了载体表面的孔口和次孔口,且均匀地分布在膜管表面,明显改善了载体的表面性质,促进了膜的生长.所制备的膜表面晶粒相互交织生长完好,致密,连续,规整,无裂缺,沸石膜厚约6~7 μm.H2的渗透率为1.46×10-6 mol/(m2·s·Pa),H2/SF6的理想分离因子为9.67,高于其努森扩散值8.54.对稀溶液中沸石膜的形成机制也进行了探讨. 相似文献