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51.
冯小兵 《大连铁道学院学报》2003,24(3):1-3
采用杂化密度泛函方法对MnO的电子结构进行了研究。结果表明,杂化密度泛函方法明显改进了理论与实验的符合。MnO为电荷转移绝缘体,采用离子模型能较好地解释其电子结构。 相似文献
52.
53.
54.
55.
56.
奥氏体不锈钢304L和304LN的加工硬化特点 总被引:2,自引:0,他引:2
以单轴位伸试验测定了奥氏体不锈钢304L和304LN的室温加工硬化曲线,并用数学模型σ=K1ε^n1 exp(K2 n2ε)、σ=σ0+Kε^n和σ=Kε^n1 n2lnε进行描述。比较三个数学模型的最大描述偏差表明,奥氏体不锈钢304L和304LN的加工硬化曲线可用σ=Kε^n1 n2lnε描述。两种钢的形变结构中出现层错、晶界和退火孪晶处错塞积、位错胞状组织和形变孪晶。这些组织结构变化均产生加工硬化,其中位错塞积和形变孪晶的贡献大。 相似文献
57.
应用光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)等技术,系统研究了SiO2-Al2O3-MgO-F系玻璃和玻璃陶瓷在等温条件下析晶组织转变和转变动力学.结果表明:针状云母晶体首先从玻璃体表面形核,然后以一维模式向玻璃体内部长大.根据John-Meehl-Avrami方程,得到玻璃转变的反应生长指数n为1,活化能A为276.97kJ/mol. 相似文献
58.
《机车电传动》2021,(5):33-37
对1 200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力进行了试验测试分析与评估。其中,平面型SiC MOSFET展现出了最优的抗浪涌能力,最大浪涌电流密度峰值达到了35 A/mm~2,而双沟槽型与非对称沟槽型SiC MOSFET的抗浪涌能力大致相等,分别为22 A/mm~2和25 A/mm~2。在经过最大浪涌电流后,3种SiC MOSFET器件的门极阈值电压、漏极电流和击穿电压均发生了失效,其失效原理均为热击穿而导致的三端短路。对比测试结果表明,平面型SiC MOSFET由于较少的栅氧化层缺陷而展现出良好抗浪涌电流能力,而双沟槽型SiC MOSFET由于浪涌应力下的沟道处泄漏电流导致更强的热效应,更容易在浪涌测试中发生失效。 相似文献
59.
本研究通过在碱式硫酸镁水泥(Basic Magnesium Sulfate Cement,BMSC)中掺入不同掺量外加剂,并通过控制含有不同掺量柠檬酸钠和矿物掺合料以及含不同掺量矿渣的BMSC中添加晶种,研究其对所制备样品的抗压强度、抗水性能的影响,结合XRD和SEM观察其水化相组成及微观形貌变化.实验现象表明,在柠檬... 相似文献
60.
为了研究Na2O和CaO含量对氟闪石玻璃陶瓷反应析晶的影响,进行三组不同实验.用X射线衍射(XRD)对烧结后得到的玻璃陶瓷进行分析发现,当Na2O含量低于6%,随着玻璃中Na2O含量的增加生成主晶相透辉石及顽辉石,Na2O添加量超过6%,析出了氟闪石;随着玻璃中CaO含量的增加而氟云母依然存在,新生成顽辉石为主相伴随有... 相似文献