走进个性化涂层

Sulzer Metco（苏尔寿美科）面向航空航天、发电、汽车、机械工程和加工等工业技术领域提供其卓越的热喷涂和薄膜技术。通过帮助用户拓展其产品和能力组合，他们的表面工程方案创造了全新的销售和市场机会，从而使其实现了增值和产品性能的提升。用户因为产品使用寿命和性能的提高而大大降低了产品更新所需要的成本，那么这些领域的关键是如何通过采用先进表面处理方案来促进生产率的提高？[编者按]     

有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性

根据Au／CuPc／Al／CuPc／Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果，分析了该三极管动作特性与器件结构的关系．结果表明，该三极管驱动电压低，呈不饱和电流一电压特性．其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构．合理设计、制作梳状铝电极，可获得良好的三极管静态、动态特性．     

21／4Cr—1Mo钢薄膜试样制备的最佳工艺规范

在５％高氯酸酒精溶液中采用双喷电解抛光技术制备了２１／４Ｃｒ－１Ｍｏ钢薄膜样品，试验了光解抛光温度、电压和电流密度对薄膜试样质量的影响，通过透射电镜分析，确定出当温度为－４０℃，电压为６０Ｖ，电流密度为４．２ｍＡ／ｍｍ＾２，可制出理想的电镜薄膜试样。     

差异沉降对加筋土挡墙筋带内力与变形的影响

采用正交设计进行加筋土挡墙缩尺模型试验。通过对筋带延伸率、筋带密度、筋带与面板连接方式三个可变因素的二水平4组试验,研究墙后填土与墙面板之间的差异沉降对筋带变形的影响。结果表明,差异沉降导致筋带不再保持原来的水平位置,其竖向变形可以用指数曲线描述。应用弹性薄膜理论与筋土相互作用耦合方程对筋带变形及内力进行的分析表明,差异沉降导致的筋带应变由水平位移和竖向挠度共同引起,该应变比常规设计中筋带应变大,将导致筋带受力条件恶化,挡墙安全度降低。     

Nc-Si Thin Film Deposited at Low Temperature and Nc-Si Heterojunction Solar Cell

This paper reported some results about intrinsic nanocrystalline silicon thin films deposited by high frequency (HF) sputtering on p-type c-Si substrates at low temperature. Samples were examined by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), infrared absorption, and ellipsometry. XRD measurements show that this film has a new microstructure, which is different from the films deposited by other methods. The ellipsometry result gives that the optical band gap of the film is about 2.63 eV. In addition, the n-type nc-Si :H/p-type c-Si heterojunction solar cell, which has open circuit voltage (Uoc) of 558 mV and short circuit current intensity (Isc) of 29 mA/cm^2, was obtained based on the nanocrystalline silicon thin film. Irradiated under AM1.5, 100 mW/cm^2 light intensity, the Uoc, Isc, and FF can keep stable for 10 h.     

介绍氮化硅陶瓷电热塞

氮化硅(Si_3N_4)陶瓷电热塞是南京火花塞研究所自1986年底开始与南京化工学院协作进行研制,现已获得成功,1988年12月28日通过部级技术鉴定。电热塞是直接安装于发动机燃烧室(涡流室或预燃室)内的电加热元件,最初只用于非直喷式柴油机上,近几年来,直喷式柴油机也开始采用。由于氮化硅陶瓷的导热性良好,接通电源后,陶瓷电热塞发热体表面在规定部位达到发热温度850℃的通电时间低于12秒钟,达到1000℃的通电时间不超过     

影响CVD法形成VB2薄膜的因素

研究了反应气体的化学当量比、基板材料、基板温度对ＣＶＤ法形成ＶＢ２薄膜的影响。结果表明，化学当量经，绒板材料影响薄膜中ＶＢ２的含量，基板温度影响结晶粒子形态。