汽车电器防浪涌电路研究

针对在汽车出现较大的浪涌波动时,通过电器电源输入端加入所述TVS管设计,使电压稳定在电器可以承受的范围内,以保证PCB板上其他元件不受瞬间浪涌的破坏,进而能有效提高汽车电器防浪涌电路的浪涌吸收能力,提高用户体验。     

舰船环境通信设备的电磁兼容设计

论文对现代舰船电磁干扰产生的机理进行了分析,在舰船通信系统方案论证、研制、安装和使用等整个过程中,提出了通过接地设计、防浪涌设计、布线设计、屏蔽设计和滤波设计等措施开展EMC设计,有效降低了舰船环境中辐射干扰、传导干扰、电磁脉冲、浪涌、静电放电和串扰等因素对舰船通信系统的影响。     

浪涌保护器寿命自监测系统研究

浪涌保护器（SPD）广泛应用于铁路通信信号系统中,可实现对被防护电路瞬时过电压、过电流的钳制和泄放。由于浪涌保护器在使用过程中存在劣化问题,因此开展浪涌保护器寿命自监测系统研究非常必要。该系统由传感器、微控制器、显示和通信等多种功能模块构成,可实现对雷电流和脱扣状态监测,以及CAN通信和NFC通信接口等应用;通过计算劣化核,进而计算寿命值,构建SPD寿命模型;展示了SPD状态显示及报警发布的流程。在SPD中引入雷电流测量机制,基于历次雷电流冲击数据构建的寿命模型,相比于单纯依赖是否脱扣作为寿命判别条件更科学、更准确;相比于使用漏电流进行寿命表征,更具有广泛的适用性。实际应用中的SPD适配了该系统后,可明确感知SPD的状态和寿命值,从而降低劳动强度,提升SPD雷电防护的可靠性。     

汽车电子产品浪涌试验研究

针对目前国外对汽车电子产品普遍采用的浪涌冲击试验，分析了其特点及实现机理，并阐述了所设计的浪涌试验台新的设计思想与特点。     

汽车电系环境分析及模拟试验研究

在论述汽车电系统环境及主要电压源的基础上，着重分析了各种浪涌信息信号的来源，性质及强弱程度，并提出了设计电子产品应注意的几个问题，最后讨论了模拟实验及装置的设计。     

"浪涌电压"对CMOS集成电路的损害与对策

“浪涌电压”对CMOS集成电路有致命的伤害。为避免浪涌,设计电路时要根据元件布局及布线情况,采用箝位和限流等手段。     

1200 V SiC MOSFET器件的体二极管抗浪涌能力研究

对1 200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力进行了试验测试分析与评估。其中,平面型SiC MOSFET展现出了最优的抗浪涌能力,最大浪涌电流密度峰值达到了35 A/mm~2,而双沟槽型与非对称沟槽型SiC MOSFET的抗浪涌能力大致相等,分别为22 A/mm~2和25 A/mm~2。在经过最大浪涌电流后,3种SiC MOSFET器件的门极阈值电压、漏极电流和击穿电压均发生了失效,其失效原理均为热击穿而导致的三端短路。对比测试结果表明,平面型SiC MOSFET由于较少的栅氧化层缺陷而展现出良好抗浪涌电流能力,而双沟槽型SiC MOSFET由于浪涌应力下的沟道处泄漏电流导致更强的热效应,更容易在浪涌测试中发生失效。     

基于沟道状态的SiC MOSFET器件浪涌能力研究

得益于技术的进步,SiC MOSFET器件中的体二极管可靠性有极大的提升,并在部分领域和模块中取代了续流二极管。文章基于浪涌电流试验,对不同沟道状态下SiC MOSFET器件浪涌能力进行了深入研究。首先,搭建了浪涌电流试验平台,对CREE和Infineon两家公司的器件进行了浪涌电流试验;然后,测量和对比了试验前后器件的阈值电压、导通电阻、体二极管电压和漏极漏电流等特性的变化;最后,通过超声波扫描显微镜观察了器件失效前后内部结构的变化,并分析了器件的失效原因。试验结果表明,SiC MOSFET器件在浪涌电流冲击下,栅极可靠性和金属层可靠性共同决定了器件的可靠性:一方面,栅极可靠性高的器件,沟道导通有利于降低最高结温,提高浪涌电流下的可靠性;另一方面,栅极可靠性低的器件,沟道的关闭有利于保护栅极。     

全电子直流四线制道岔控制模块浪涌防护电路设计

简要介绍全电子直流四线制道岔控制模块,分析其浪涌防护标准和防护电路设计原则,设计一种浪涌防护电路。     

机车直流控制线圈所并联的浪涌吸收器引起的迂回串电故障分析

机车通常采用直流控制,我国采用的是直流110V电压等级,为了消除控制回路感性元件产生的过电压,一般在直流控制线圈上并联浪涌吸收器(也称过电压抑制器或过电压吸收片)。目前浪涌吸收器普遍在电空阀、中间继电器、接触器等电器中采用。1几种典型故障分析1.1SS4419机车制动机400D