聚苯胺红外反射谱随氯化氢掺杂量的变化

掺杂种类和掺杂量的不同可使聚苯胺的光学性质发生很大的变化．利用盐酸挥发的HCl气体对聚苯胺自支持薄膜进行了掺杂,并测量了不同掺杂浓度的薄膜在不同入射角下的红外反射谱（4000cm-1～400cm-1）．结果表明：掺杂使干涉程度明显减弱、干涉峰向长波方向移动、反射率先上升后下降,而且不同入射角反射谱的相对强度也会有一定程度的改变．通过实测数据分析与计算机模拟对比证明：在低掺杂浓度时,随着掺杂程度的提高,消光系数上升较快,当掺杂浓度较高时,消光系数上升缓慢;在整个掺杂过程中,折射率基本保持一个较慢的上升趋势．     

第一次“星”动——江淮瑞鹰2．4L路试

2006年7月瑞鹰初次现身广州车展时，我第一眼就能确定这款车与上代现代Santa Fe——即华泰现代国产的圣达菲有血缘关系。事实上，瑞鹰虽是江淮全自主开发的车型，但它的外形、内饰以及底盘等部分，都是以现代Santa Fe为参照对象的。[编者按]     

多孔PZT95/5压电陶瓷性能的研究

本次实验主要研究在制备过程中加入抑制剂、PEG、胶凝剂等对PZT95／5粉体的影响,此外,研究了掺杂物(铌盐)的掺入方式及加入量对PZT95／5粉体性能的影响。     

Ce诱导SrTiO3由非磁绝缘体向铁磁半金属转变的第一性原理研究

通过第一性原理计算采用GGA+U方法,研究了Sr_(1-x)Ce_xTiO_3(x=0, 0.125, 0.25)的晶体结构和电磁性质.计算结果表明:Sr_(1-x)Ce_xTiO_3稳定在立方钙钛矿结构,Ce掺杂导致Sr_(1-x)Ce_xTiO_3的晶格参数、晶胞体积、Ti-O键长都增大,但Ti-O-Ti键角减小;Sr_(1-x)Ce_xTiO_3在x=0时为非磁绝缘体,在0.125≤x≤0.25时为铁磁半金属.Ce掺杂导致Sr_(1-x)Ce_xTiO_3在x=0.125产生非磁绝缘体向铁磁半金属的转变;随着Ce掺杂量增加,Sr_(1-x)Ce_xTiO_3的金属性和铁磁性加强,很好解释了Sr_(1-x)Ce_xTiO_3在固体氧化物燃料电池上的应用.这些结果也意味着Sr_(1-x)Ce_xTiO_3在磁存储器件上具有潜在的应用前景.     

Fe／Ti纳米多层薄膜退火初期的扩散行为

采用双室高真空磁控溅射装置在溅射功率60 W和工作气压0.5 Pa下直流磁控溅射沉积了调制比为1,设计调制周期18.0 nm的Fe/Ti纳米多层薄膜.利用横截面透射电镜(XTEM)、差示扫描量热分析仪(DSC)及小角和广角X射线衍射(SA/WAXRD)分析退火初期的扩散行为.实测调制周期16.2nm,原始沉积Fe/Ti纳米多层薄膜由交替生长的纳米多晶α-Fe和α-Ti组成,调制界面清晰.Fe/Ti纳米多层薄膜热失稳过程包括亚层间的扩散、金属间化合物FeTi形成和长大3个阶段.退火温度为473 K时,保持与原始沉积相同的成分调制结构;退火温度升高到523 K,Fe与Ti亚层间发生互扩散,成分调制结构破坏,但相变未发生;达到最高退火温度623 K,过饱和固溶体α-Fe(Ti)和金属间化合物FeTi形成.     

Fe—25Mn—5Al无磁与低温钢在NaOH水溶液中形成的钝化膜的XPS…

采用Ｘ射线光电子谱仪研究Ｆｅ－２５Ｍｎ－５Ａｌ－０．１５ｃ合金在３０％ＮａＯＨ溶液中钝化后形成的钝化膜。深度剖面的ＸＰＳ分析结果表明：钝化膜的最表层与主体部分分别存在结合水与由Ｆｅ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＦｅＯ，ＭｎＯ及金属态Ｆｅ，Ａｌ与Ｍｎ组成的混合物。     

溶胶-凝胶法制备软磁纳米材料Fe2O3

首次采用添加分散剂溶胶-凝胶法制备软磁纳米材料Fe2O3,采取添加分散剂和改变焙烧方法保证晶粒尺寸.实验结果表明:软磁纳米晶制备中添加分散剂尿素,然后在高温(600℃)焙烧前增加一个低温(400℃)退火阶段,两项措施能保证Fe2O3原始晶粒尺寸在30～40nm.试验操作简单、过程易于控制、产品质量稳定.     

La0.7Sr0.3Co0.3Fe0.7O3纳米纤维的合成及其NO气敏特性研究

用简单有效的静电纺丝法合成了La0.7Sr0.3Co0.3Fe0.7O3纳米纤维材料,并采用X-射线衍射和扫描电子显微镜对其晶体结构和形貌进行表征.结果显示,合成纤维的直径在150～ 300nm之间,长度达到几十个微米.以钇稳氧化锆为固体电解质,合成的La0.7Sr0.3Co0.3Fe0.7O3纳米纤维材料为感测电极,...     

美好生活

无论以什么样的方式去生活,生活中的美好绝对不掺杂任何杂质,一样的纯美恬静。周四,他还停留在湖边绿野上,偶尔在车上上网,偶尔急速飞驰在田间,偶尔停下脚步看身边风景。只要有她,世界便是圆满的。生活的多彩并不一定只局限于丰功伟绩,手中的彩笔更应该着墨于属于自己的时间,送自己一个wonderfulday。正如与他一起出发的奥德赛,无论是商场或是无边景致,都一样来去自如。     

4H-SiC基稀磁半导体的电子结构

通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和Al、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、TM共掺4H-SiC中掺杂V的结构是最稳定的.对比TM元素单掺杂和Al与TM元素共掺杂体系的磁性质可知,Al有稳定结构和影响结构磁性的作用.