21／4Cr—1Mo钢薄膜试样制备的最佳工艺规范

在５％高氯酸酒精溶液中采用双喷电解抛光技术制备了２１／４Ｃｒ－１Ｍｏ钢薄膜样品，试验了光解抛光温度、电压和电流密度对薄膜试样质量的影响，通过透射电镜分析，确定出当温度为－４０℃，电压为６０Ｖ，电流密度为４．２ｍＡ／ｍｍ＾２，可制出理想的电镜薄膜试样。     

差异沉降对加筋土挡墙筋带内力与变形的影响

采用正交设计进行加筋土挡墙缩尺模型试验。通过对筋带延伸率、筋带密度、筋带与面板连接方式三个可变因素的二水平4组试验,研究墙后填土与墙面板之间的差异沉降对筋带变形的影响。结果表明,差异沉降导致筋带不再保持原来的水平位置,其竖向变形可以用指数曲线描述。应用弹性薄膜理论与筋土相互作用耦合方程对筋带变形及内力进行的分析表明,差异沉降导致的筋带应变由水平位移和竖向挠度共同引起,该应变比常规设计中筋带应变大,将导致筋带受力条件恶化,挡墙安全度降低。     

Nc-Si Thin Film Deposited at Low Temperature and Nc-Si Heterojunction Solar Cell

This paper reported some results about intrinsic nanocrystalline silicon thin films deposited by high frequency (HF) sputtering on p-type c-Si substrates at low temperature. Samples were examined by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), infrared absorption, and ellipsometry. XRD measurements show that this film has a new microstructure, which is different from the films deposited by other methods. The ellipsometry result gives that the optical band gap of the film is about 2.63 eV. In addition, the n-type nc-Si :H/p-type c-Si heterojunction solar cell, which has open circuit voltage (Uoc) of 558 mV and short circuit current intensity (Isc) of 29 mA/cm^2, was obtained based on the nanocrystalline silicon thin film. Irradiated under AM1.5, 100 mW/cm^2 light intensity, the Uoc, Isc, and FF can keep stable for 10 h.     

影响CVD法形成VB2薄膜的因素

研究了反应气体的化学当量比、基板材料、基板温度对ＣＶＤ法形成ＶＢ２薄膜的影响。结果表明，化学当量经，绒板材料影响薄膜中ＶＢ２的含量，基板温度影响结晶粒子形态。     

Fe／Ti纳米多层薄膜退火初期的扩散行为

采用双室高真空磁控溅射装置在溅射功率60 W和工作气压0.5 Pa下直流磁控溅射沉积了调制比为1,设计调制周期18.0 nm的Fe/Ti纳米多层薄膜.利用横截面透射电镜(XTEM)、差示扫描量热分析仪(DSC)及小角和广角X射线衍射(SA/WAXRD)分析退火初期的扩散行为.实测调制周期16.2nm,原始沉积Fe/Ti纳米多层薄膜由交替生长的纳米多晶α-Fe和α-Ti组成,调制界面清晰.Fe/Ti纳米多层薄膜热失稳过程包括亚层间的扩散、金属间化合物FeTi形成和长大3个阶段.退火温度为473 K时,保持与原始沉积相同的成分调制结构;退火温度升高到523 K,Fe与Ti亚层间发生互扩散,成分调制结构破坏,但相变未发生;达到最高退火温度623 K,过饱和固溶体α-Fe(Ti)和金属间化合物FeTi形成.     

非晶态Fe40Zr60薄膜吸氢的研究

用磁控溅射镀膜机制备了非晶态Ｆｅ４０Ｚｒ６０薄膜，并用Ｘ射线衍射及穆斯堡尔谱研究了非晶Ｆｅ４０Ｚｒ６０合金吸氢问题。结果发现，吸氢后非晶Ｆｅ４０Ｚｒ６０的同质异能移位ＩＳ及四极分裂ＱＳ增加，且随着Ｆｅ浓度减小，非晶ＦｅｘＺｒ１００－ｘ合金吸氢前后其同质异能移位变化ΔＩＳ增加。并给出了相应的解释。     

脉冲激光沉积 ZnO 薄膜的微结构及发光性能

用波长为1064nm的Nd—YAG激光器，在氧的活性气氛中，通过激光烧蚀Zn靶在Si（111）衬底上获得ZnO薄膜．用电子显微镜（XRD和FESEM）表征ZnO薄膜的结构和表面形貌，用光致发光谱表征光学性质．实验中观察到紫外光发射和深能级的黄绿光发射．紫外光发射是ZnO薄膜的固有性质，深能级光发射是由于存在氧反位缺陷（OZn）．紫外光发射和深能级光发射的强度依赖于薄膜的表面粗糙度．表面粗糙度在nm级范围内的ZnO薄膜可以获得高强度的紫外光．