ICP-PECVD法制备类金刚石膜

以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP—PECVD）法制备了类金刚石薄膜,使用FTIR、AFM、台阶仪对薄膜进行了表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断（OES）．研究了射频功率和基底在放电腔体中的位置对薄膜表面粗糙度、沉积速率和硬度的影响．实验结果表明：A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加先减小后增大,随着射频功率的升高,薄膜的硬度逐渐增大,沉积速率先增大后减小,而薄膜硬度和沉积速率都随着与线圈中心距离的增加而减小．光谱诊断结果显示,随着功率的升高,Iβ/Iα和CH的强度呈增大趋势．结合上述研究结果,分析了影响薄膜生长的多种因素．     

浅谈印制板图形转移制作工艺

论文主要介绍了图形转移(干膜)的制作工艺流程,并针对制作过程的常见问题进行分析和采取对策。     

离子注入对CuxS薄膜特性的影响

讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响，铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变，很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。     

双离子束溅射淀积DLC膜的结构分析

用双离子束溅射法在５０℃以下的基底上淀积了类金刚石（ＤＬＣ）膜。对ＤＬＣ膜采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜及拉曼谱仪进行了结构分析。通过对扫描电子显微镜观察，发现在ＤＬＣ膜中存在金刚石微晶。通过透射电子显微镜分析，确定金刚石微晶具有面心立方结构，计算出的晶格常数与标准值基本相同。通过拉曼光谱分析后，进一步验证了薄膜中金刚石微晶的存在并得出了膜中ＳＰ＾３Ｃ－Ｃ键所占的比例。     

溶胶－凝胶法制备氧化铝薄膜

以异丙醇铝为原料，研究了溶胶的浓度、粘度及加入电解质的种类，电解质的浓度和焙烧温度等条件对成膜的影响．     

Si基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜

采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓Si基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。用红外透射谱（mR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、选区电子衍射（SAED）和荧光光谱（PL）对样品进行组成、结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明：采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN薄膜。同时显示预沉积的扩镓硅基较预沉积后再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长。     

氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究

采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜,研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有室温（300K）铁磁性;Zn1-xCoxO薄膜,无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面,其室温矫顽力均仅为6～7G,呈现典型的稀磁及磁各向同性特征;而对于多晶Zn1-CoxO薄膜,其室温矫顽力在200～370G之间展示出显著的磁化各向异性特征;同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理．     

Friction and wear performances of hot filament chemical vapor deposition multilayer diamond films coated on silicon carbide under water lubrication

Tribological properties of chemical vapor deposition (CVD) diamond films greatly affect its application in the mechanical field. In this paper, a novel multilayer structure is proposed, with which multilayer diamond films are deposited on silicon carbide by hot filament CVD (HFCVD) method. The different micrometric diamond grains are produced by adjusting deposition parameters. The as-deposited multilayer diamond films are characterized by scanning electron microscope (SEM) and white-light interferometry. The friction tests performed on a reciprocating ball-on-plate tribometer suggest that silicon carbide presents the friction coefficient of 0.400 for dry sliding against silicon nitride (Si₃N₄) ceramic counterface. With the water lubrication, the corresponding friction coefficients of silicon carbide and as-deposited multilayer diamond films further reduce to 0.193 and 0.051, respectively. The worn surfaces indicate that multilayer diamond films exhibit considerably high wear resistance.