隧穿量子点分子模型与光场相互作用的熵特性

用全量子论研究了微腔中量子化光场与隧穿量子点分子模型相互作用系统的熵特性,导出了量子点系统熵（场熵）的计算公式,讨论了不同的初始光场对量子点系统熵（场熵）的影响。结果表明：初始光场处在相干态情况下,随着失谐量△的增大,场熵的周期明显加强,但场熵的均值却不断减小,这表明失谐量的增加,导致光场与量子点分子的关联减弱,即耦合程度降低;在初始光场为压缩真空态的情况下,其结论与初始光场为相干态情况下的结论相似。     

三角形势阱中杂质和激子性质的研究

本文用变分法计算了三角形势阱中类氢施主杂质和激子的束缚能。给出了不同势阱深度（决定于ｘ值）下，束缚能随阱宽（２ｂ）变化的规律。与方形势阱比较，三角形势阱中的杂质和激子是有更大的束缚能，是一种有较大应用前途和研究价值的结构。     

Analysis of Information Leakage in Quantum Key Agreement

Introduction Quantumkeyagreement(QKA)enablestwo userstosharesecretrandombitsthroughaquan-tumchannel.Thesesecretbitscanbeusedasa conventionalsecretkeyforsecurecommunications overaclassicalchannel.TheadvantageofQKA overtraditionalkeyagreementmethodsisthatthe exchangeofquantumbitscanbeshowntobeun-conditionallysecure(orinformation-theoretically secure).ThefirstQKAprotocolwasproposedbyBen-nettetalinRef.[1].Bennettetalconsidered quantumkeyagreementbetweentwolegalusers AliceandBob.Thephysicalca…     

GaAs/AlGaAs量子级联激光器中的声学声子散射

以具有三量子阱有源区的GaAs/Al0.15Ga0.85As量子级联激光器中的子带间;声学声子辐射散射为研究对象,从理论上研究了三量子阱有源区中的量子阱和势垒厚度的变化对声学声子辐射散射时间的调制作用.通过对子带间的声学声子辐射散射的总跃迁速率与相应的子带间的总自发辐射速率的比较,研究了声学声子辐射散射对量子级联激光器的辐射发光性能的影响.     

湮灭算符任意次幂本征态的Wigner函数

用在Fock态表象下的Wigner函数重构了湮灭算符任意次幂本征态的Wigner函数.分析了这些函数在相空间中的分布规律,并据此讨论了湮灭算符任意次幂的本征态的非经典特性.结果表明,Wigner函数的分布与湮灭算符本征值的大小有关;湮灭算符1次幂的本征态(即相干态)为准经典态(其Wigner函数的取值总是非负的),而其高次幂的本征态则具有明显的非经典特性(其Wigner函数均出现了负值).     

改进的量子遗传算法在车间调度中的应用

在对车间作业调度问题及其调度方法进行描述的基础上,提出改进量子遗传算法（IQGA）并用于解决车间调度问题,改进的量子遗传算法用路由选择算法来选择染色体,进行编码,并用最优个体来更新量子旋转门,旋转角是自适应调整的,这样使算法更好的收敛到全局最优解,经过仿真,验证了算法的有效性。     

极性双原子分子体系碰撞诱导转动传能的量子干涉效应

利用adiabatically corrected sudden近似研究了极性双原子分子体系单一三重混合态碰撞诱导转动传能的量子干涉效应,并计算了CO与HCl碰撞中的能量传递过程中的相干效应．     

粘性半导体偏微分方程的定态解

研究了一维粘性定态量子流体动力学(QHD)模型.利用截断法、Leray-Schauder不动点定理以及椭圆型方程的估计,在“亚音速”条件下,得到了强解的存在唯一性.先验估计依赖构造辅助函数,证明依靠截断技术、Leray-Schauder不动点定理和指数变换.     

NEURAL NETWORK FOR THE QUANTUM CORRECTION OF NANOSCALE SOI MOSFETS

The study of silicon on insulator(SOI)MOSfield effect transistors(MOSFETs)has been ofgreat interest in recent years[1-2].As the di mensionsof SOI MOSFETs are aggressively scaled into thenanoscale regi me,the inversion carriers shift appar-ently away fromthe interface of Si O2/Si due to thequantumeffect.So it is quite necessary to take thequantumeffect into consideration in SOI MOSFETmodeling and si mulation.The Schr dinger-Poisson(SP)equations subject to an appropriate boundaryc…     

ENERGY LEVELS OF STRONG COUPLING MAGNETOPOLARON IN QUANTUM WIRE

IntroductionThe strong coupling polaron of bulk type hasbeen studied extensively[1,2 ] . Recently,people hasmuch interest of strong coupling polaron with re-duced dimensionality[3 ] ,especially the two- dimen-sional case[4,5] .T.Yildirim[6] studied the strongcoupling polaron with different dimensionality in aunifying model. S. Hameau et. al.[7] showed thatthe electrons and the longitudinal optical phononsare always in a strong coupling regime and form aneverlasting mixed electron- phonon mode…