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43.
44.
张明 《变流技术与电力牵引》2012,(1)
介绍了大型相控晶闸管、IGBT及IGCT三种兆瓦级新型电力半导体器件的发展、技术特征和应用领域,初步探讨了器件的物理极限和未来的发展方向。 相似文献
45.
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。 相似文献
46.
47.
唐明新 《大连铁道学院学报》1996,17(4):48-53
给出一种用于中频感应加热装置的MOSFET逆变电源,在MOSFETR 控制信号方面,提出了一种新的控制方法,即正弦波控制法,它能够自动地产生“死区时间”,对于避免同桥壁上,下管子直通有可靠的作用,中详细叙述了装置主电路和控制电路的并给出试验波形。 相似文献
48.
49.
50.
杨进峰 《变流技术与电力牵引》2006,(5):26-30,39
论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位.此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对所述功能的试验及结果进行阐述,重点介绍双电平关断驱动器的中间电平对IGBT过电压的影响. 相似文献