问与答

答：（1）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是功率MOSFET 技术的派生器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）的低导通损耗和功率MOSFET的高开关速度的特点,是一种电压控制型器件。与晶闸管相比，IGBT速度更快，dv/dt抗干扰和栅极关断能力更好。当某些晶闸管例如GTO由门极关断时，要求有反向门极电流，而IGBT关断时，唯一要求的是栅极电容放电。象MOSFET一样，IGBT是跨导器件，只要保持栅极电压在阈值电压电位以上，便能维持IGBT的充分导通状态。在故障情况下，IGBT表现了可靠耐用的特性。当器件处于端子短路或接地状态时，短路…     

国外IGBT的特性与识别

本文论述了国外商品化ＩＧＢＴ器件的一般特点，并注释了一些常见的这类器件的型号编排识别方法 。     

专家门诊

读者免费咨询电话：13971609317咨询时间：周二、三、四、五上午8：30-10：30特别提示：由于熊荣华老师工作繁忙,请不要在其他时间电话咨询,以免影响他的工作和休息,敬请谅解!如不是很紧急的问题,也可发送邮件到editor@motorchina.com咨询。读者免费咨询电话13971609317熊老师,您好!我维修了一辆装配4G64发动机的2004年生产的奇瑞东方之子,故障现象是火线圈连续坏（换过6款不同厂家、型号的）,更换过火花塞、高压线,维修过电脑,现在还是解决不了问题,请熊老师指教。珠海读者：佚名如图1所示,该款发动机有两个内置功率晶体管的点火线圈（1和2）,它们分别用于第1缸和第4缸、第2缸和第3缸的点火。中QA     

美国首次将纳米碳管植入硅芯片

美国加利福尼亚大学伯克利分校以及斯坦福大学的科学家成功地将纳米碳管植入硅片中。目前计算机使用的硅芯片已经达到其物理极限，体积无法再小，通电和断电的频率无法再提高，耗电量也无法再减少。科学家认为，解决这个问题的途径是研制“纳米晶体管”，并用这种纳米晶体管来制作“纳米计算机”。他们估计纳米计算机的运算速度将是现在的硅芯片计算机的1．5万倍，     

大功率机车车辆用扁平型IGBT

介绍了日本富士电机公司先后开发成功的ＥＭＢ１００１ＲＭ－２５，ＥＭＢ１８０１ＲＭ－２５等高耐压，大电流ＩＧＢＴ元件的性能技术特点和应用实例，前者的额定容量为２．５ｋＶ／１ｋＡ芯片面积为２０×２０ｍｍ，后者的额定容量为２．５ｋＶ／１．８ｋＡ芯片面积为２７．５×２７．５ｍｍ，由上述元件组成的３点式主回路ＴＣ１２主变换器装置具有噪声小，控制性能等特点，已在日本东海客运铁路公司新开发的７００系列新干线车中     

单结晶体管同步触发电路维修技能考核装置的研制

为满足维修电工中级实操考核对考核装置的需求,在单结晶体管同步触发电路中增加故障设置开关,将开关置于"故障盒"中,实现了故障快速设置与恢复,且具有保密性。将此电路设计制作成实验箱,满足了实践教学与电工中级实操考核实操项目的需要。     

岸桥电气房超温自动消除控制方案

电气房是整个岸桥的控制中心,它是一个相对密封且恒温的空间,所有电控系统的驱动及控制元件均安装在电气房内,其中布置了交流全变频凋速系统。系统中的IGBT（绝缘栅双极晶体管）在工作过程中会产生大量的热量,尽管变频系统有良好的硬件导热介质及系统内的风扇辅助降温,