丰田混合动力核心工作原理分析(下)

车辆倒车时原则上仅由MG2为车辆提供动力,在充电状态正常时发动机是不工作的。如图11所示,这时MG2正向旋转,发动机不工作,MG1正向增速旋转但并不发电,因为如果MG1在增速状态下要是发电,那么MG2同时就会负载很大,MG2负载大了就会消耗HV蓄电池的能量,这并不划算。在车辆倒车时,如果电源控制模块监视的任何项目与规定值有偏差,MG1将被启动进而启动发动机,MG1从正向增速的空转状态要突然提高转速变     

在复合式晶体开关中晶体管IGBT的并联

众所周知,设计用于船舶电力系统中的动力晶体管变换器时,其元器件的最佳选择不仅要保证高的可靠性,而且还要保证装置的使用效率达到最大.通常,评价各种装置的单位价格是在其他条件相同的情况下,与1安培变换器的单位价格相比较而得的.所以,最迫切的问题是降低组成设备各部件主要部分的电力电子元器件的价格.当制造大批量变换器时,采用复合式晶体管比采用大电流晶体管模块更合适.对于必须保证工作电流和最大电流精度达1安培的具体使用设备,用复合式晶体管开关更有效.降低电子元器件的价格是可以实现的,因为散装晶体管比晶体管模块在与1安培电流的比价上要低.而晶体管模块的价格可以达到等效数量的散装晶体管价格的150%.散装晶体管的低单位价格主要取决于散装壳体结构简单,可大批量制造.     

IGBT在起重调速装置中的应用研究

介绍了新型电力电子器件的结构作特点，并以港口起重调速装置为对象，在线绕式异步电动机转子电路直流调速系统中对ＩＧＢＴ器件的应用进行了研究。     

空调功率晶体管人为故障的分析与修复

通过丰田克雷西达(Cressida)自动空调因功率晶体管的基极导线与集电极反馈导线接反,而导致Ⅰ、Ⅱ档风速与Lo档相同、Hi档正常的故障,详细分析了该车风机的控制原理、信号传输过程;叙述了发现该故障的思路,以及电压、电流变化的原理。     

晶体管无触点点火装置（1）

晶体管无触点点火装置，因其点火能量均匀，火花强度大而逐渐受到重视。本文所述三种点火电路中，以２９８１为核心的电路性能最稳定，抗干扰能力最强，可适用多种车型。     

1200 V SiC MOSFET器件的体二极管抗浪涌能力研究

对1 200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力进行了试验测试分析与评估。其中,平面型SiC MOSFET展现出了最优的抗浪涌能力,最大浪涌电流密度峰值达到了35 A/mm~2,而双沟槽型与非对称沟槽型SiC MOSFET的抗浪涌能力大致相等,分别为22 A/mm~2和25 A/mm~2。在经过最大浪涌电流后,3种SiC MOSFET器件的门极阈值电压、漏极电流和击穿电压均发生了失效,其失效原理均为热击穿而导致的三端短路。对比测试结果表明,平面型SiC MOSFET由于较少的栅氧化层缺陷而展现出良好抗浪涌电流能力,而双沟槽型SiC MOSFET由于浪涌应力下的沟道处泄漏电流导致更强的热效应,更容易在浪涌测试中发生失效。     

从IGBT的损坏谈变频器的修理与维护

2008年6月27日夜,某港口门机正在进行矿粉装船作业,由于矿粉转场不及时,门机在作业过程中停机4h,重新开始作业时司机发现起升机构无动作,遂通知现场值班电工上机处理。电工检查后发现：支持变频器的操作器显示PUF（直流熔断器熔断）故障,变频器及柜内的其他电器元件表面均有大量的凝露。进一步检查后确认,变频器内部有1组IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损坏;直流回路熔断器损坏2个;阻熔吸收部分电容损坏1个。更换这些元器件并将凝露彻底清除后,试车恢复正常。     

汽车零部件感应加热淬火设备知识讲座(七)静电感应式晶体管(SIT)淬火设备

1电源组成以天津金能电力电子公司引进国外技术生产的100 kW、双频(50、100 kHz)的高频电源为例,结合实践进行介绍。1.1主电路静电感应式晶体管电源主电路如图1。从图1看出,电路结构和其他感应加热电源一样,由晶闸管三相可控全波整流器、平波电抗器、逆变