可编程逻辑器件在机车逻辑控制系统中的应用

在分析了Lattice公司的在系统可编程逻辑器件isLSI1032E的结构和设计方法的基础之上，介绍了ISP技术及CPLD在机车逻辑控制系统中的应用，叙述了使用ispEXPERT进行设计的方法及流程，并对机车逻辑控制设计中的一些问题进行了讨论。     

复杂可编程逻辑器件在弹跳消除电路中的设计与应用

按键的弹跳现象，是数字系统设计中客观存在的问题，为了增加电路设计的灵活性，选用MAX plusⅡ软件，采用自顶向下的模块化设计方法，提出一种利用CPLD器件实现的弹跳消除电路，该电路具有故障率低、使用灵活、便于修改、在系统可编程性及可移植性强等优点。     

IGCT器件制造中的阴极梳条成型技术

概述了电子器件中的各种硅刻蚀技术,提出了新的旋转喷射硅腐蚀方案,对2种酸腐蚀挖槽方法进行了试验对比.新方法应用于集成门极换相晶闸管(IGCT)器件的梳条成型工艺,获得精密的阴极图形,器件的开关性能优良.     

4.5 kV高压平板型IGBT

日本富士公司研制成功4.5 kV高压平板型IGBT器件.介绍4.5 kV/2.0 kA,4.5 kV/1.2 kA平板型IGBT器件的设计、电气特性及其概况.     

GTO器件△型吸收电路分析

主要论述了GTO器件△型吸收电路的工作原理，提出了各器件的技术要求，并提出了一个新观点，即在△型吸收电路中，在电流向吸收电路转移的后半部分，把箝位电容转换为直接并联的吸收电容器，使吸收电容容量大大增加，GTO器件的关断过电压大大降低，以提高GTO器件的可靠性。     

纳米技术的最新进展

纳米技术是近年来科技界最热门的话题之一,是高技术的最前沿领域之一.目前,世界各国,尤其是科技大国都把纳米技术作为优先发展的战略性高技术.人们普遍认识到纳米技术对人类生活和生产方式的影响将象当今信息技术一样广泛而深刻,纳米科技时代在不久的将来定会来临.本文将着重介绍2001年纳米技术所取得的最新成果,从而展示世界纳米科技的最新进展.     

有源电压箝位串联HV IGBT的适用性和优化(二)

介绍了5.2 kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用.穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电流的关断问题.可以证明,采用先进的电压箝位技术能够限制因关断拖尾电流而引起的第二个电压尖峰.阳极采用载流子寿命局部分布的IGBT很适合这种应用;拖尾电流间隔时间越短,关断损耗越小.文中集中讨论了穿通型HV IGBT器件串联时的最佳通态等离子体分布,HV IGBT的最新发展趋势似乎与讨论结论相一致.未来先进的HV IGBT技术可完全减轻第一代HV IGBT串联时的困难.     

FPGA的基本原理及运用

简单介绍了FPGA器件的发展及基本结构、设计方法，并以PWM电路的FPGA实现为例，说明了FPGA在电力系统中的应用前景。     

GTO器件代换应用可靠性分析

针对8K型电力机车逆变器的维修现状，介绍了GTO器件代换时主要参数确定的方法。通过地面试验及装车运用考核，证明600A的GTO器件只要选型合理，直接替代300A的GTO器件，也能可靠地工作。     

A2BA2型两亲性液晶嵌段共聚物的合成与表征

利用原子转移自由基聚合(ATRP)技术合成A2BA2型两亲性液晶嵌段共聚物.聚乙二醇与2,2-二氯乙酰氯反应生成结构对称的多官能团大分子引发剂,引发偶氮苯单体6-[4-(4-乙氧基苯基偶氮)酚氧基]己基甲基丙烯酸酯(AZO6Et)的ATRP反应.利用凝胶色谱(GPC)与核磁共振氢谱(1H NMR)表征了产物的分子量与结构组成,利用示差扫描量热法(DSC)与偏光显微镜(POM)对聚合物的液晶性进行了表征.该液晶嵌段共聚物在光信息储存、光开关与分子器件等领域具有潜在应用.