全文获取类型
收费全文 | 345篇 |
免费 | 3篇 |
专业分类
公路运输 | 115篇 |
综合类 | 54篇 |
水路运输 | 74篇 |
铁路运输 | 103篇 |
综合运输 | 2篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 8篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 8篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 10篇 |
2014年 | 16篇 |
2013年 | 14篇 |
2012年 | 14篇 |
2011年 | 15篇 |
2010年 | 13篇 |
2009年 | 12篇 |
2008年 | 26篇 |
2007年 | 16篇 |
2006年 | 21篇 |
2005年 | 13篇 |
2004年 | 34篇 |
2003年 | 16篇 |
2002年 | 16篇 |
2001年 | 17篇 |
2000年 | 14篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 7篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 5篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 2篇 |
1965年 | 1篇 |
排序方式: 共有348条查询结果,搜索用时 328 毫秒
201.
202.
介绍了一种采用先进的电子电路与器件研制的新型雷达配属电站油压自警保护器,并对其原理进行了论述。 相似文献
203.
ZnS:Cu的电致发光特性 总被引:4,自引:0,他引:4
为了以ZnS为基质材料获得蓝色电致发光,烧结了ZnS:Cu进而制备了薄膜电致发光显示器件。测量了其电致发光光说,发现它具有4个峰,研究了发光强度随电压、频率变化的规律。结果表明,利用ZnS:Cu可获得蓝色电致发光。 相似文献
204.
《机车电传动》2021,(5):28-32
在电力电子应用中,性能优于硅功率器件的宽禁带功率器件得到广泛关注。然而,传统功率器件封装中的芯片顶部的电气互连结构现在已成为限制宽禁带功率器件寿命的主要因素。因此,有必要通过使用键合缓冲技术将铜键合线、焊带和引线框架来代替铝键合线作为芯片顶部的电气互联以满足宽禁带功率器件在高温工作条件下的要求。文章回顾了不同键合缓冲技术和金属键合材料在功率循环测试中的可靠性表现。其中,因瓦合金键合缓冲材料与铜键合线的结合在众多键合材料中显示出最强大的功率循环测试能力。失效分析显示,宽禁带功率器件封装的薄弱点已经从芯片顶部的键合材料变为氧化铝陶瓷衬底或芯片上表面的铝金属层。 相似文献
205.
206.
207.
船舶电网需要有效地控制起动电流,本文讨论了一种使用新型延时器件的星/三角起动线路,该线路能够可靠地完成星形线路到三角线路的转换,抑制“飞弧短路”的出现。 相似文献
208.
怠速控制电路(如图21所示):
本喷射系统使用的为步进电机式怠速阀,其ECU内的驱动器件为42827,42827的13脚经二极管与ECU接脚A6相连,为42827提供12V电源142827的3脚与ECU接脚B1相连,为器件接地142827的1脚、2脚、4脚、5脚为输出端,分别连接到了ECU接脚的A1、A2、A3、A4, 相似文献
209.
如果QFP电子封装器件发生较大塑性变形,将影响其正常使用.利用有限元分析技术来讨论温度循环载荷作用下影响QFP焊点塑性变形的因素,为控制其变形幅度提供依据. 相似文献
210.
SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC MOSFET的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC MOSFET器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4450 V的SiC MOSFET器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC MOSFET的静态特性理论。 相似文献