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21.
通过对氧化锌晶须生长动力学、热力学和晶须生长过程的结构研究和控制,提出并发明了平衡气量控制法制备具有四针状结构的氧化锌晶须,已发表了十多篇SCI论文,获得国家发明专利2篇。在此基础上,本年度又开展了在氧化锌晶须晶格中掺杂铝、铜、铁、铬、银、锰、锡等金属离子的研究工作,并分别研究了后期掺杂和晶体共生长过程中掺杂(即原位共生掺杂)的效果和对氧化锌晶格的影响。  相似文献   
22.
为了提高SmAlO3体系的导电能力,采用低价的Ni2+,Mg2+,Zn2+分别对其B位离子进行了部分替代,在高温固相反应下合成了具有正交钙钛矿结构的混合导体SmAl0.95M0.05O3-δ(M=Ni,Mg,Zn),并利用XRD和直流四引线法对样品的结构以及电导率与温度和氧分压的关系进行了表征.电导率测量结果表明,掺杂显著提高了样品的电导率,比未掺杂的SmAlO3的电导率增加了3~4个数量级,在所有掺杂样品中,SmAl0.95Zn0.05O3-δ的电导率最高,800℃时为3.5×10-1 S/m,活化能最小为0.43 eV.从电导率随氧分压的变化关系分析可知,在高氧分压环境下,SmAl0.95Zn0.05O3-δ是一个氧离子和电子空穴的混合导体,但以离子导电为主,由于P型电导具有随温度下降而减弱的特征,故使其氧离子迁移数随温度下降而逐渐增大.  相似文献   
23.
通过高温固相法制备了Re_xTb_(2-x)Mo_3O_(12)(Re=Eu,Er; x=1%,3%,5%)材料.研究了不同Eu~(3+)、Er~(3+)掺杂浓度对Tb_2(MoO_4)_3发光性能的影响.X射线衍射结果表明:合成样品为纯相,Eu~(3+)、Er~(3+)的掺杂并不改变Tb_2(MoO_4)_3的晶体结构.激发光谱和发射光谱结果表明:随着Eu~(3+)掺杂浓度的增大,Tb_2(MoO_4)_3发光强度提高;随着Er~(3+)掺杂浓度的增大,样品发光强度先增强后减弱,存在浓度猝灭现象.本研究为开发新型发光材料提供了一定的参考.  相似文献   
24.
25.
文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族叠层太阳电池抗辐照设计的基本思路,提出了Ⅲ-Ⅴ族叠层抗辐照太阳电池的两种改进结构p-i-n结构和线性掺杂结构,并探讨分析了这两种结构的物理原理和在抗辐照性能上的优劣,为进一步改善其抗辐射效应作了颇有意义的基础工作。  相似文献   
26.
抗生素作为一种典型的新型污染物已经引起人们极大关注但尚未被有效管控,常规的水处理工艺对此类污染物处理效果不佳.以磺胺甲恶唑(SMZ)为目标污染物,通过设计氮掺杂石墨烯(N-rGO)研究其对水中微量抗生素的吸附性能,在此基础上构建"吸附-催化氧化"体系以提高对抗生素的处理效果.结果表明:N-rGO在60 min内完成吸附...  相似文献   
27.
28.
29.
制备了非晶DyFeCo磁光记录薄膜,测量了其磁光Kerr转角与饱和磁化强度对温度依赖关系。研究了轻稀土参杂部分取代Dy对磁光记录薄膜的Kerr转角的影响,发现在一定参杂比范围内能够有效提高薄膜的Kerr转角。  相似文献   
30.
Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
用丝网印刷法将Al掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373~383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510~540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阈值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30249.  相似文献   
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