目前我国兆瓦级新型电力半导体器件

介绍了大型相控晶闸管、IGBT及IGCT三种兆瓦级新型电力半导体器件的发展、技术特征和应用领域,初步探讨了器件的物理极限和未来的发展方向。     

牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发

针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。     

单相谐振MOSFET逆变电源的研究

给出一种用于中频感应加热装置的ＭＯＳＦＥＴ逆变电源,在ＭＯＳＦＥＴＲ 控制信号方面,提出了一种新的控制方法,即正弦波控制法,它能够自动地产生“死区时间”,对于避免同桥壁上,下管子直通有可靠的作用,中详细叙述了装置主电路和控制电路的并给出试验波形。     

城轨用带串联间隙球头避雷器寿命分析

从金属氧化物电阻片的电老化失效、避雷器本体的密封失效及避雷器的耐受电流冲击能力3个方面分析了影响避雷器寿命的主要因素及城市轨道接触网用新型带串联间隙避雷器在这3方面所具备的性能优势,从而得出了城市轨道接触网用带串联间隙球头避雷器的使用寿命可以达到20~30年。     

MnO的电子结构

采用杂化密度泛函方法对MnO的电子结构进行了研究.结果表明,杂化密度泛函方法明显改进了理论与实验的符合.MnO为电荷转移绝缘体,采用离子模型能较好地解释其电子结构.     

汽车的电子化和半导体的可靠性

电装器件开发部部长岩森则行9月1日在东京发表了题为"自动化的电子化和半导体的可靠性"的演讲。岩森介绍了与市场相关的数字。他说:"汽车市场增长率仅为2%,尽管不是太高,但今后仍会稳定增长"。还预测"车载半导体占整个半导体市场的比例2007年为7%,2015年将达到10%"。     

西安立明:争做LED照明的领航者

西安立明电子科技有限责任公司是一家专业从事LED大功率领域产品研发、制造、销售的高新技术企业。广泛吸纳、培养了一批具有自控、光电一体化、工业结构设计的科研人才和经营管理人才,在LED应用领域率先开发出了众多国内外一流的产品,有多种产品已经形成大规模生产能力。