派瑞空气净化器产品介绍（六）

酒精检测器 型号：DAT-01传感器：先进的半导体氧化物酒精传感器测量范围（BAC）：0．00％-0．1％ 精确度（BAC）：0．01％ 电源输入：2×1．5V“AAA”碱性电池     

SiC半导体材料的特性及其在舰船上的应用

SiC半导体材料具有满足舰船电力电子系统要求的高电压、高频和高温工作的优良特性。本文介绍了它的特性以及在舰船上的应用。     

基于检测结果的27.5 kV交流无间隙金属氧化物避雷器质量提升措施

针对近几年委托检测的电气化铁道供电用27.5 kV交流无间隙金属氧化物避雷器检测结果,统计检测结果为不合格的试验项目。分析密封试验、弯曲负荷试验、2 ms方波电流冲击耐受试验、电阻片4/10大电流冲击耐受试验等试验项目检测结果为不合格的原因,提出27.5 kV避雷器质量提升措施。     

IGBT机理建模及其基于神经网络的参数辨识方法

为获取专用的绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型,实现IGBT电路的针对性优化,在Hefner模型的基础上,对IGBT的开通和关断状态进行了机理建模,并重点分析了其暂态过程.在此基础上,提出了基于神经网络优化算法对模型参数进行辨识的方法,获得了单个IGBT元件的机理模型.以一个FGA25N120型的IGBT为例,进行了仿真和实验研究,通过仿真与实验结果的对比,拟合优度达0.9,验证了本文所提机理模型的正确性及基于神经网络辨识所得参数的精确性.      

意法半导体（ST）与Alango合作

汽车解决方案芯片制造商意法半导体与前端语音强化技术开发商和授权商Alango科技有限公司日前宣布,双方达成一项技术授权协议：意法半导体将在其先进的汽车信息娱乐如免提电话配件用蓝牙芯片内整合Alango的尖端软件技术。汽车电子行业分析者目前预测,截至2012年,全世界将有约45％的新车安装免提电话装备。     

4H-SiC基稀磁半导体的电子结构

通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和Al、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、TM共掺4H-SiC中掺杂V的结构是最稳定的.对比TM元素单掺杂和Al与TM元素共掺杂体系的磁性质可知,Al有稳定结构和影响结构磁性的作用.     

美国飞思卡尔公司:电动车智能电池传感器面市

<正>飞思卡尔半导体公司发布了业界首款符合AEC-Q100标准的智能电池传感器——MM9Z1J638。它将16位MCU、32位MCU和CAN共三个测量通道整合为一个独立部件,可匹配传统的和新型的车用或工业用电池。MM9Z1J638电池传感器测量电池的关键参数,监控电池的SOH、SOF和SOC,     

离子交换法制备Zn/Al双金属氧化物

采用重量法及扫描电镜表征方法研究了D113型离子交换树脂对Zn/Al吸附的优化反应条件以及对Zn/Al双金属氧化物形貌的影响.结果表明:Zn/Al离子的摩尔比为2∶1时,单位质量树脂吸附的总金属离子摩尔数最大,且产物形貌较佳;随着pH值和温度的升高,单位质量树脂吸附的摩尔数增大.pH值为3.89时焙烧产物的形貌最好,温度对焙烧产物的形貌影响不大.EDS数据和XRD谱图表明,产物中存在两种化合物ZnO和Al2O3.     

DC gain analysis of scaled CMOS op amp in Sub-100 nm technology nodes: A research based on channel length modulation effect

Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation (CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters. With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from 130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results.     

半导体制冷技术在药液冷却中应用研究

根据半导体致冷的特点,将半导体致冷技术应用于药液制冷,并且给出了药液半导体致冷器的最佳工作参数计算式。最后用实例证明了,与Qmax状态和εmax状态相比,按该状态设计的半导体致冷器制冷量与功耗量的综合效益达到最优。