MnO的电子结构

采用杂化密度泛函方法对MnO的电子结构进行了研究.结果表明,杂化密度泛函方法明显改进了理论与实验的符合.MnO为电荷转移绝缘体,采用离子模型能较好地解释其电子结构.     

轨道交通用750A/6500V高功率密度IGBT模块

通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS~+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT~+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关键技术,研发了具有低通态损耗的6 500 V平面栅IGBT芯片及其配套快恢复二极管(FRD)芯片。将IGBT及FRD芯片封装成750 A/6 500 V IGBT模块并对其进行测试、试验,其动、静态特性与安全工作区(SOA)性能优良,满足我国高速动车组、大功率机车等轨道交通牵引的应用要求。     

城市轨道交通架空接触网雷电防护

我国城市轨道交通架空接触网导线离地高度和线路绝缘水平与电力系统10 kV配电线路相当,雷电防护应以防感应雷为主.本文对接触网感应过电压进行了仿真研究,利用统计方法计算了接触网感应雷击跳闸率,提出了采用避雷线、绝缘子保护间隙和串联间隙金属氧化物避雷器3种雷电防护措施.     

艏锚变频器调速引起移动电站电力网络污染性升压的对策

本文对艏锚变频器调速引起的移动电站电力网络污染性升压进行了分析，并提出了相应对策。     

CO2电催化还原的研究

以混合的金属氧化物RuO_2、TiO_2、Ag_2O和SnO_2对钛表面进行了修饰,得到了四个不同氧化物组成的钛电极,即RuO_2 TiO_2/Ti(35:65,A)、RuO_2 TiO_2/Ti(25:75,B)、RuO_2 TiO_2 Ag_2O/Ti(C)和RuO_2 TiO_2 SnO2/Ti(D),采用循环伏安法研究了其常温常压下在0.1mol/L的KHCO3水溶液中的电化学行为,在-900mV的恒定电位下进行了CO2的还原,分析了电极的稳定性和还原产物的情况。结果表明,金属氧化物电极对CO2还原产生了很好的催化作用,-900mV下对甲酸和甲醇有高的选择性,还原的液相产物中仅发现了甲酸和甲醇,电极A、B、C和D上生成甲酸和甲醇的总电流效率分别为84.4%、57.4%、93.1%和88.1%,且长时间电解过程中电极具有很好的稳定性,是有很好应用前景的催化电极材料。     

国内召回

1部分奔驰乌尼羹克越野赞车及改装车技召回（80辆） Who：戴姆勒东北亚投资有限公司 Where：由于设计原因．召回车辆栅格预热器内部产生的低电流可能会造成金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的内部损伤．并在极端情况下造成栅格预热器连续运转，进而导致过热，存在引发车辆起火的风险。     

MnO的电子结构

采用杂化密度泛函方法对MnO的电子结构进行了研究。结果表明，杂化密度泛函方法明显改进了理论与实验的符合。MnO为电荷转移绝缘体，采用离子模型能较好地解释其电子结构。     

七二五所主持编制阴极保护国际标准

由海洋腐蚀与防护国家级重点实验室常务副主任许立坤为项目负责人,澳大利亚、瑞典、韩国、南非等国派专家参加的“阴极保护用金属氧化物阳极加速寿命试验方法”国际标准,日前正式获准立项。这是我国第一个主持编制的阴极保护相关ISO国际标准,实现了从被动采用、参与编制国际标准到主持编制国际标准的新突破。11月19日,国际标准化组织金属和合金腐蚀技术委员会（ISO／TC156）主席约兰·恩格斯特龙一行访问该重点实验室并进行了交流。     

1200 V SiC MOSFET器件的体二极管抗浪涌能力研究

对1 200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力进行了试验测试分析与评估。其中,平面型SiC MOSFET展现出了最优的抗浪涌能力,最大浪涌电流密度峰值达到了35 A/mm~2,而双沟槽型与非对称沟槽型SiC MOSFET的抗浪涌能力大致相等,分别为22 A/mm~2和25 A/mm~2。在经过最大浪涌电流后,3种SiC MOSFET器件的门极阈值电压、漏极电流和击穿电压均发生了失效,其失效原理均为热击穿而导致的三端短路。对比测试结果表明,平面型SiC MOSFET由于较少的栅氧化层缺陷而展现出良好抗浪涌电流能力,而双沟槽型SiC MOSFET由于浪涌应力下的沟道处泄漏电流导致更强的热效应,更容易在浪涌测试中发生失效。