基于灰色层次分析法的高速公路企业运营效益风险评价研究

对高速公路企业运营效益进行风险评价,可以为企业管理者在效益决策时提供依据。在对高速公路企业运营效益风险评价方法广泛研究的基础上,针对其局限性,提出了灰色层次分析法模型。该模型在建立评价指标体系的基础上,将灰色理论和层次分析法结合起来,并对高速公路企业运营效益风险进行评价,得出评价结论。文章运用该模型对某省的高速公路企业运营效益风险进行评价,验证了此模型的正确性。结果表明,运用该模型可以对高速公路企业运营效益风险评价得更科学合理,该方法具有一定的使用价值,结论可靠,可以让管理者对风险程度有清晰的认识。     

基于灰色关联度的客运通道运输方式竞争力研究

运输通道由多种交通方式构成,研究通道内交通方式的竞争力对乘客和运营部门具有重要意义。运用灰色关联度法,以成渝客运通道为研究对象,进行各种交通方式竞争力的演算,并通过与其他方法所研究的结论进行比较分析,证明其合理性与实用性,为相关研究提供参考。     

基于数据融合的城市轨道交通线网指挥中心综合信息平台研究

线网指挥中心综合信息平台是城市轨道交通网络化运营管理的主要技术保障系统.在分析城市轨道交通线网管理需求及特征的基础上,引入全生命周期管理的理念,提出了具有信息融合的开放式架构的综合信息平台框架和功能.探讨了信息共享机制、实时监控与GIS技术结合、多模式应答及设备报警趋势预测等关键技术.系统应用对网络化运营管理具有决策支持、安全保障和数据资源效益发挥的重要作用.     

重载铁路双柱式桥墩运营性能及加固评价

随着我国重载铁路干线列车的轴重以及载运量的增加,给双柱式桥墩带了许多不利影响,如横向振幅过大、冲击振动加剧等,严重影响了铁路桥梁的安全运营性能。以朔黄铁路双柱式桥墩为主要研究对象,通过理论分析,重点研究不同荷载类型和不同行车速度作用下墩顶横向振幅的变化规律和桥墩的自振频率特性,结合加固后双柱式桥墩运营性能试验,研究其加固效果,为重载铁路双柱式桥墩的维护管理提供科学依据。     

基于数据包络分析的军事运输方式选择研究

针对运输费用、能源消耗、运输时间,运输能力、适应能力、方便程度、安全性等影响军事运输方式选择的主要因素,利用数据包络分析理论,通过实例计算出了各种运输方式的投入产出比并按其值大小进行绩效排序,进而选出最优运输方式,并对其它运输方式进行分析评价。     

新时代我国城市轨道交通运营新模式探讨

随着我国城轨交通线网规模的持续扩大和人民出行品质要求的逐步提升,城轨交通运营的质量和效益成为新时代工作的重心.然而,传统"重建设轻运营"思维下的单线建设模式制约网络化运营效益的发挥;同时以人工为主的既有管理模式,也难以满足未来大规模城轨网络高效运营的需求.因此,面对新时代城轨交通高质量发展要求,亟需对城轨交通运营模式进...     

基于混合轴辐式的运输网络决策模型

依据某公司的实际数据,利用启发式贪婪算法求解所构建的模型,先求出子网模型的解,然后并用分枝定界和回溯法来求解子网模型,提高求解效率.计算结果表明：采用混合轴辐式的运输网络优化后的成本比优化前少,降低了3.5％.与此同时,本模型减少了中途停靠点,节省了运行时间,提高了效率.     

使用可用度在舰船装备论证中的约束作用

在舰船装备论证过程中,使用可用度不仅是装备保障能力的量化,还对装备的一些因素有着约束作用。分析使用可用度在论证过程中对装备数量、维修计划、随船备件满足率和全寿命周期费用的影响,建立这些参数之间的定性关系表达式,发现提高舰船使用可用度,有助于减少舰船装备数量和降低装备寿命周期费用,但也会缩短装备寿命期内的维修时间,并要求装备有较高的备件满足率。     

港口铁路综合作业能力计算及影响原因分析

根据铁路作业能力的分析方法,结合港口铁路作业的特点,提出了港口铁路综合作业能力的计算方法。分析影响作业能力的主要原因和提高港口铁路作业能力的具体措施。     

DC gain analysis of scaled CMOS op amp in Sub-100 nm technology nodes: A research based on channel length modulation effect

Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation (CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters. With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from 130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results.