The Computer Simulation System for Range Distribution of various Implantat

IntroductionIonimPlanation,whichhasbeenestablishedasanimptwdopingmethodintosemiconductoratfluenceslowerthanl0I6ions/Cm2andWhichisanindispensabletechnologyinlnyescaleintegration(LSI)manufcturing,haslat0lyattractedconsiderableattentionasasdsemodificationProcessforvariousmaterials,pwhcularlyformetals.HighfiuenceimPlanationofreactiveionsintomatCrialsleadstothefOrmationofchemicalcompoundsandmetastablephase,suchasAlNandTffowhichhaveultrahighhardnessandgoodresistanccagainstwearresulhnginthegreat…     

水电解隔膜的研究进展

水电解制氢需要一种隔膜将氢、氧隔离开。本文概述了隔膜的性能要求,对国内外隔膜的研究进展进行了综述,详细介绍并比较了石棉隔膜、非石棉隔膜、聚苯硫醚隔膜、聚砜类隔膜、离子交换膜的性能及其优缺点。     

IGCT器件制造中的离子注入扩散技术

概述了电力电子器件中的扩散方法,提出了采用离子注入的试验方案,经试验得到了离子注入扩散的规律.在集成门极换向晶闸管(IGCT)器件的阴极端成功实现了硼、铝双杂质离子注入扩散层的正确分布,从而证实了该方法的可行性.     

离子氮化与离子镀TiN复合涂层的结合强度及强化机理

研究了3CrW8V和M2基体进行离子氮化和离子镀TiN复合涂层的结合强度和强化机理。利用XRD法分析了涂层的相结构，用划痕法测定了涂层的结合力，并用SME观察分子划痕形貌。结果表明，离子氮化与离子镀TiN复合涂层的结合力和硬度均高于TiN单层；合理的硬度度梯度分布、膜基界面冶金结合、TiN沉积过程中离子氮化ε-Fe2-3N相的含量减少，离子氮化过渡层对顶层TiN涂层有力的支撑作用，是复合涂层强化的主要原因。