三氧化二铝掺杂物的特性及在MCVD中的应用

阐述了三氧化二铝的特性和在ＭＣＶＤ中的应用，由于三氧化二铝掺杂在光纤中具有优于二氧化锗的一些特点，被应用于不同的领域，如光纤激光器，光纤放大器和保偏光纤。但由于受三氧化二铝易形成反三氧化二铝现象的限制，一直没有广泛用于普通光纤生产中，在前人研究成果和对制备工艺理解的基础上，认为有必要开发这种新产品。     

光纤制备工艺的理解和进一步降低损耗的一些设想

描述二氧化锗，五氧化磷和氟化物在沉积和烧结过程中的机理，由于掺杂物在高温下的特性差异，有可能产生许多不利因素，如掺杂物的挥发，局部应力，缺陷中心和不完整波导结构。这些因素有损于传输特性。