SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真

为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice仿真.仿真结果表明,在SiC MOS器件中,因受SiC/SiO2界面导带附近高界面态密度的影响,阈值电压随温度的变化并不像Si MOS器件那样呈线性变化,其沟道有效迁移率也并不与温度的-1.5次方成正比.此外,SiC MOS器件的沟道迁移率低,导致其跨导比相同尺寸下的Si器件的低,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP.虽然标准的OPAMP单元对Si器件来说具有温度稳定性,但对SiC基材料来说需进一步修正.     

一种面向彩色CIS数据接口的低功耗编码方法

为有效降低彩色CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器数据输出接口的动态功耗,对输出接口信号的活动性进行了分析.根据同色像素信号高六位相关性高、活动性低的特点,提出了一种编码方法.该方法通过比较当前与前一同色像素信号,决定是否保持当前接口信号的高六位,从而显著降低接口信号的活动性.仿真结果表明,用该方法,接口的动态功耗降低了24.2%.