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根据带隙基准电压源的基本原理,在传统带隙电压源的电路结构上,采用曲率补偿技术和自偏置共源共栅电流镜,获得了一种结构简单、电源抑制比和温度系数等性能都较好的输出可调的带隙基准电压源.用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行仿真,结果表明,在-40~120℃,基准电压的温度系数为5.8 ppm/℃,在2... 相似文献
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在分析信号交叉口车道功能划分与相位方案兼容性的基础上,归纳出左转车道和左转相位相结合的左转机动车管理对策.阐述其车流特征,并就左转机动车管理对策的选择进行探讨. 相似文献
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基于石英晶体振荡原理,提出了在真空状态下的一种超薄型镀膜测厚方法,介绍了该项测厚技术的基本电气原理,研究了测厚过程中石英晶体材料的选取方法和组织实施原则。石英晶体应具有固定的技术参数,并被安放于真空舱内的正确位置。密闭的石英晶体探头通过同轴电缆与外部振荡器相连,振荡器输出的频率信号由微机进行处理,将频率信号转化为厚度值。 相似文献
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反射式涡流传感器金属测厚研究 总被引:1,自引:0,他引:1
吴蓉 《兰州交通大学学报》2002,21(6):28-29,115
阐述了涡流传感器金属厚度非接触测量的基本原理,在交变磁场中,不同厚度金属导体内的涡流对传感器探头内线圈具有不同程度的阻抗反射作用。研究了涡流传感器的测厚电路,探头线圈参与调谐振荡电路,通过频率计测频,可完成对金属厚度的测量。 相似文献
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通过对异或门的各种特性进行较完整的分析研究,从CMOS异或门电路级、晶体管级以及版图级的逐级设计,提出了一种异或门的版图优化设计方法.并且使用IC设计工具-Tanner Pro对异或门电路和版图进行了仿真和与优化.通过仿真试验,验证了所设计的CMOS 0.65 μm N阱工艺参数的版图在结构上得到了简化,平均延迟传递时间为tavd=0.67 ns,性能上获得了改善. 相似文献
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Moore型有限状态机的VHDL设计与资源利用研究 总被引:3,自引:0,他引:3
吴蓉 《兰州交通大学学报》2003,22(1):90-93
根据Moore型有限状态机的原理,对内存控制器的设计提出了普通型,时钟同步输出信号型和直接把状态作为输出信号型(Outputs=states)三种VHDL设计方法,并从消除“毛刺”,提高资源利用率和速度等方面对三种方法进行了比较,通过开发工具Max plusⅡ的编译和功能仿真,验证了方法的合理性和通用性。 相似文献
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通过改进AZO薄膜的制备工艺,提高了AZO薄膜的光学与电学性能、完善了制备工艺,克服了成膜温度较高等不足,成功制备出性能优良的AZO薄膜.通过对新制备的AZO薄膜样品进行XRD和SEM测试,深入分析了影响薄膜结构和电性能的物理因素,获得了最佳制备工艺条件.在室温34℃、溅射功率1 000 W、溅射气压0.052 Pa、溅射时间87 min条件下,溅射产额最高,离子能量最高,可形成性能最优的AZO薄膜结构和形貌. 相似文献