一种欠压脱扣器线圈温度场计算与分析

本文基于Ansys Workbench分析了一种直流长时工作制的欠压脱扣器线圈温升,并通过物理样机实验验证了该分析的准确性。分析结果表明,通过仿真计算可以准确分析脱扣器线圈的温升参数,为快速高效设计最优的线圈提供理论基础。     

小电流分断吹弧磁场仿真及试验研究

直流断路器分断小电流时,在动静触头之间易出现持续燃弧现象。为解决小电流分断难的问题,通常在电流转移回路中串入磁吹装置。本文对某型直流断路器磁吹装置进行了优化设计,同时对两种磁吹装置下触头区域吹弧磁场仿真分析,并对关键路径磁场进行对比。仿真分析及试验结果都表明,使用优化后磁吹装置的断路器具有更好的双向小电流分断能力。     

基于Maxwell的螺管式电磁铁设计分析与研究

本文基于电磁场理论和Maxwell仿真软件,分析了一种螺管式电磁铁的静态吸力特性和动态吸合过程,并通过实验研究验证了该分析的正确性。研究结果表明,对电磁铁进行动态特性分析更接近短时工作电磁铁的实际情况,电磁铁吸合过程中,线圈电流先增大后减小再增大到稳定,铁芯所受吸力一直增大到稳定状态,但是在铁芯完全吸合前所受吸力增大的速度小于吸合后增大的速度,铁芯动态吸合过程中所受吸力的最终稳定值与静态相同气隙条件下所受吸力值相等。     

断路器用储能电容管理电路设计

直流断路器的分断固有时间为毫秒级[1],大多采用脉冲脱扣器进行脱扣动作。储能电容是脉冲脱扣器重要能量来源[2]。针对断路器用储能电容充电管理问题,本文设计了一种断路器用储能电容充电管理电路,动态对电容电压进行检测,识别电容过压、充电完毕及输出允许,极大提高了直流断路器脉冲脱扣器的安全性。     

基于ADAMS的塑壳断路器机构与旋转式触头系统动力学分析

本文基于ADAMS分析了一种壳架电流等级为800 A的双断口塑壳断路器运动系统合闸、分闸、脱扣和再扣运动过程,并通过物理样机试验验证了该分析的正确性.研究结果表明,通过仿真计算可以准确分析断路器操作机构与触头系统的动力学特性,从而对机构进行优化获得所需要的机构运动特性和触头参数,为新型断路器设计提供理论基础;通过仿真分...     

一种中压交流真空断路器稳态热分析

介绍了一种中压交流真空断路器中导电回路的结构.针对4000 A稳态载流状态,对其进行了热电耦合仿真.通过求解回路中各组件的热载荷,并应用综合散热系数处理表面对流散热,对回路的稳态温度场进行了仿真计算,得到了其稳态温度分布.对断路器进行稳态温升试验,并将测量点的试验数据与仿真计算结果进行对比,验证了仿真的有效性.该仿真方...     

PI3K抑制剂对四氯化碳刺激的肝星状细胞增殖和Ⅰ型胶原表达的影响

目的 探讨PI3K抑制剂对四氯化碳(CCl4)刺激的肝星状细胞(HSC)增殖和Ⅰ型胶原表达的影响,为肝纤维化的治疗提供理论基础.方法 将液氮保存下的HSC株,于37℃,50 mL/L CO2孵育箱中复苏传代培养,同步化后将细胞分为5组:空白对照组、CCl4组、CCl4+1 μmol/L PI103组、CCl4+2μmol/L PI103组、CCl4 +4 μmol/L PI103组,分别培养48 h.用透射电子显微镜初步观察了细胞形态改变;MTT比色法测定细胞增殖情况;免疫细胞化学测定细胞的Ⅰ型胶原表达情况.结果 CC14组与空白对照组比较,细胞生长旺盛,细胞数目增多,Ⅰ型胶原表达增多;透射电子显微镜下可见CCl4+4μmol/L PI103组比CCl4组凋亡细胞显著增多,细胞数目减少;MTT和免疫细胞化学实验结果显示,与CCl4组比较,CCl4+1μmol/L PI103组、CCl4 +2μmol/L PI103组、CCl4 +4μmol/L PI103组细胞的增殖和Ⅰ型胶原的表达均减少,随着PI103剂量加大,细胞的增殖和Ⅰ型胶原的表达均减少,但CCl4+4 μmol/L PI103组和CCl4+2μmol/L PI103组比较,细胞的增殖无明显变化.结论 PI3K抑制剂PI103可抑制活化的HSC的增殖,促进其凋亡以及减少其Ⅰ型胶原的表达.     

基于Workbench的塑壳断路器双金属片的设计分析与研究

本文基于力学理论和Workbench有限元软件,对一种塑壳断路器用双金属片进行优化设计和分析,并通过试验研究验证了该优化设计的正确性.研究结果表明,在设计不规则长条状双金属片时减小形状突变的程度有利于输出弯曲位移.     

旋转式双断点触头系统温度场分析与研究

本文利用ANSYS软件对一种壳架电流为1000A的直流塑壳断路器的旋转式双断点触头系统进行温度场分析，并通过物理样机试验验证了该分析的正确性。研究结果表明通过增加接触电阻模拟触头线接触可以准确分析和计算触头系统的发热特性，为设计新型断路器触头系统提供依据。