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基于密度泛函和多体微扰理论,提出类似于石墨烯结构的硼-砷单层并且探究硼-砷单层的结构稳定性、电子结构和光学性质.计算表明:硼-砷单层有负的大结合能(-5.32 eV/atom)、声子谱中没有出现虚频,暗示它具有高的静态和动力学稳定性;其次,电子结构指明它是一个具有中等直接带隙(1.576 eV)的半导体且带隙对应变敏感可调;光学吸收谱表明硼-砷单层对近红外和可见光有较好的吸收且具有较大的激子束缚能(约590 meV).研究结果表明:硼-砷单层在电子和光电子方面具有一定的应用潜能.  相似文献   
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