GaN功率芯片共晶焊接可靠性研究

随着电子产品的复杂程度越来越高,装配难度和装配时间均在增加,尤其是随着电子产品对功率的要求越来越高,需要芯片下方有更高的钎透率保障产品散热和可靠性,研究各工艺参数对钎透率和钎透率的影响很有必要。功率芯片采用自动装配的比例逐年上升,复杂产品装配时焊料重熔次数成为影响产品可靠性的关键因素。本文采用全自动焊接和手动焊接的方法制备AuSn共晶焊接样品。研究表明,焊接过程中GaN芯片背面的金层部分溶解在焊料中,热沉表面金层溶解量与时间成正比例相关,在有保护性气体的条件下,焊接质量明显优于无保护气,重熔次数对X光的影响较小,但对剪切力影响较大。